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本发明的一次可编程存储器用于DRAM存储设备的修复信息的保存，包括一次可编程阵列、以及多个本地寄存器，在将所述一次可编程阵列中所存储的所述修复信息发送至多个所述本地寄存器之前，通过ECC功能对所述修复信息进行校验纠正。...
该专利属于东芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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