【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，具体的说，涉及一种基于dram基板的芯片及该芯片制备方法。
技术介绍
1、现有的三维芯片结构通常是逻辑模块位于底部，多层存储模块堆叠在逻辑模块之上，存储模块通过底层逻辑模块、借助硅基板进行互联，需要在逻辑模块和硅基板上打造硅通孔以实现芯片间的互联以及芯片与外界的互联。但是硅基板上的互联密度是有限的，并且在逻辑模块上打造硅通孔的实现方式会随着工艺节点的进步而需要不断开发验证，所以这种方式的可演进性和可兼容性较差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的旨在提出一种基于dram基板的芯片、及其制备方法，以至少部分改善上述问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术一方面提供一种芯片，包括：
3、一基板，由拼接分布的多个dram模块构成，每一所述dram模块为单层或多层dram；
4、多个逻辑模块，
5、每一所述dram模块配置至少一所述逻辑模块，放置于所述dram基板上层。
6、较佳的，多个所述dram模块在同一封装内横向延伸拼接，组合成一所述基板。
7、较佳的，位于同一平面上的每一所述dram模块由其四周分别引出互联线，与周围四个方向上的一相邻dram模块进行互联。
8、较佳的，多个所述dram模块共用一组时钟信号，以及部分地址线和控制线；
9、每一所述dram模块设置有独立的数据引脚。
10、较佳的，多个所述dram模块共用一组时钟信号，包含：
1
12、所有所述dram模块划分为多个局部同步区域，属于同一所述局部同步区域内的各个所述dram模块共用一组时钟信号，实现局部同步；各个所述局部同步区域彼此之间时钟独立，以各自工作频率独立运行，实现全局异步。
13、较佳的，所述逻辑模块和所述基板之间采用面对面方式连接，位于上层的所述逻辑模块和位于底层的所述基板直接通过金属层实现信号互联。
14、较佳的，所述逻辑模块和所述基板之间采用面对背方式连接，
15、位于上层的所述逻辑模块和位于底层的所述基板通过位于所述基板上的硅通孔、以及所述基板内部配置的互联结构进行互联。
16、较佳的，位于同一所述dram模块上的所述逻辑模块之间，通过每一所述逻辑模块连接至该dram模块进行互联；
17、位于不同所述dram模块上的所述逻辑模块之间，通过所述逻辑模块连接各自至自身的该dram模块，且不同所述dram模块之间连接，进行所述逻辑模块的彼此互联。
18、较佳的，所述芯片还包含至少一dram控制器模块，与所述基板以及所述逻辑模块连接，用于控制所述dram模块彼此之间的互联、和/或，控制每一所述dram模块存储。
19、较佳的，每一所述dram模块配置一dram控制器，该dram控制器模块置于与该dram模块连接的其中一所述逻辑模块内部；
20、每一所述dram模块引出控制线连接至相应dram控制器模块；
21、该dram控制器模块从相应逻辑模块接收指令，进而控制相应dram模块与相邻其他所述dram模块彼此之间的互联、和/或，相应dram模块的存储。
22、较佳的，若所述dram控制器模块同时接收到两个所述dram模块发出的传输请求时，根据预设的仲裁规则判定出处理顺序。
23、较佳的，当每一所述dram模块为多层dram时，充分利用多层dram，根据预设的选择规则在多层dram中选择出适合当前信号传输的层级，以增大信号传输带宽，缓解dram基板信号传输的拥塞问题，减小信号传输延时。
24、较佳的，所述层级选择规则设置为：
25、优先选择靠近所述基板顶层的最顶层层级；
26、当所述最顶层层级存在信号传输拥塞时，依次向下顺延选择信号传输层级；
27、若所有的层级均处于拥塞时，返回所述最顶层层级进行等待。
28、较佳的，所述基板不同位置布置有多个硅通孔；
29、各个所述硅通孔之间采用六边形布局分布于所述基板上。
30、较佳的，将所述逻辑模块信号传输的关键线路置于靠近所述硅通孔的位置；
31、所述逻辑模块与外界互联的io接口通过点到点方式直接相连。
32、本专利技术另一方面还提供了一种芯片制备方法，用于制备上述的芯片，至少包含：
33、将多个dram模块进行拼接，形成一基板，每一所述dram模块为单层或多层dram；
34、于每一所述dram模块设置一逻辑模块，且于所述基板上放置该逻辑模块。
35、较佳的，配置至少一dram控制器模块，用于控制相应dram模块与相邻其他所述dram模块彼此之间的互联、和/或，相应dram模块的存储。
36、较佳的，于所述基板不同位置布置有多个硅通孔；
37、设置电源/接地的硅通孔；
38、增大电源/电源硅通孔或接地/接地硅通孔的间距；
39、每个芯片层级的供电分配网络均由电源/接地金属线互相交叉组成的网格结构；
40、其中，片上网格结构与每个芯片层级相连，相邻芯片层级中的网格结构通过微凸点和硅通孔进行垂直互连。
41、由以上方案可知，本专利技术的优点在于：
42、本专利技术提供的基于dram基板的芯片，将多个dram模块拼接直接作为逻辑模块互联的基板，区别于已有的存储模块通过逻辑模块互联，能够充分利用dram模块本身易实现的多层dram结构实现逻辑模块高密度互联，既实现了大的互联带宽，又可以一定程度上降低逻辑模块互联的延迟和功耗。
43、此外，本专利技术将多个dram模块拼接直接作为逻辑模块互联的基板，相较于已有的解决方案，dram模块制造工艺成熟，制造成本较低，更有利于实现，并且具备一定的可扩展性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
8.根据权利要求1-3任一项所述的芯片，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包含：
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，
12.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的芯片，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的芯片，其特征在于，
16.一种芯片制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-15任一项所述的芯片，至少包含：
17.根据权利要求16所述
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，
8.根据权利要求1-3任一项所述的芯片，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包含：
10.根据权利要求9所述的芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗田，王郁杰，王梦迪，王颖，韩银和，
申请(专利权)人：中国科学院计算技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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