【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及连接基材，典型地连接半导体基材在一起的方法和三 维(3-D)半导体器件。
技术介绍
尽管大规模集成电路(LSI)技术寻求较高的性能，典型地加速数据 处理速度并增加数据处理流量，但开发了许多技术，其中包括平版印 刷术，使得能制备比较微细的特征尺寸结构。在平版印刷技术中，例 如，使用ArF准分子激光器啄光在商业制备65測节点器件中已经是成 功的，并已经计划使用浸渍平版印刷术的进一步小型化。然而，指出 可能的情况是，对提高仅仅依赖于小型化的性能具有限制，所述小型 化不仅来自于平版印刷技术，而且来自于该技术或材料特征。实现较高的集成密度或较高的处理速度的另一方法是，垂直层叠 LSI,以增加集成密度或处理速度。这一三维(3D)半导体集成电路吸引 大家的关注，因为该技术能增加集成密度或处理速度，而与小型化无 关，且在本领域中已经进行了许多研究工作。垂直层叠LSI的方法包括一起连接带LSI的硅片，形成层叠件的 方法，在带LSI的硅片上固定LSI芯片，形成层叠件的方法，和在另 一LSI芯片之上固定LSI芯片，形成层叠件的方法。在这些方法中， 一起连接LSI是关键的...
【技术保护点】
将基材连接在一起的方法，该方法包括下述步骤：连接一对基材，其中每一个基材具有接合表面和置于基材的接合表面之间的接合层的前体涂层，和加热该前体涂层，形成接合层， 该方法进一步包括下述步骤：在连接步骤之前，向一个或两个基材在接合表面上提供 透气层。
【技术特征摘要】
JP 2008-8-15 2008-2091941.将基材连接在一起的方法，该方法包括下述步骤连接一对基材，其中每一个基材具有接合表面和置于基材的接合表面之间的接合层的前体涂层，和加热该前体涂层，形成接合层，该方法进一步包括下述步骤在连接步骤之前，向一个或两个基材在接合表面上提供透气层。2. 权利要求1的方法，其中通过施加含硅基础材料的涂料組合物， 并加热该涂层形成所述透气层，以便可透气。3. 权利要求2的方法，其中硅基础材料是氧化硅基础材料。4. 权利要求3的方法，其中氧化硅基础材料包括有机氧化硅化合物。5. 权利要求1的方法，其中所述透气层是通过CVD方法形成且介 电常数K为最多3的多孔膜。6. —起连接基材的方法，该方法包括下述步骤连接一对基材， 其中每一基材具有接合表面和置于基材的接合表面之间的接合层的前 体涂层，和加热该前体涂层，形成接合层，该方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：八木桥不二夫，滨田吉隆，浅野健，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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