高温粘结组合物,基材的粘结方法,和3-D半导体器件技术

提供一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂。由含硅烷化合物的缩合物前体的脱水缩合获得硅基础聚合物，其中所述硅烷化合物具有通过由脂族烃基、杂环或芳烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子，和具有至少三个羟基和／或可水解基团。相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少９０ｍｏｌ％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高温粘结组合物，它耐约400'C的高温，结果它可适 合于粘结基材，和使用它一起粘结基材的方法，特别地在垂直层叠的 半导体器件中使用。本专利技术还涉及三维半导体器件。
技术介绍
尽管大规模集成电路(LSI)技术寻求较高的性能，典型地加速数据 处理速度并增加数据处理流量，但开发了许多技术，其中包括平版印 刷术，使得能制备比较微细的特征尺寸结构。尺寸下降的顺序被称为 Moore定律。在平版印刷技术中，例如，使用ArF准分子激光器啄光 在商业制备65nm节点器件中已经是成功的，并已经计划使用浸渍平版 印刷术的进一步小型化。然而，指出可能的情况是，对提高仅仅依赖 于小型化的性能具有限制，所述小型化不仅来自于平版印刷技术，而 且来自于该技术或材料特征方面。实现较高的集成密度或较高的处理速度的另一方法是，垂直层叠 LSI,以增加集成密度或处理速度。这一三维(3D)半导体集成电路吸引 大家的关注，因为该技术能增加集成密度或处理速度，而与单元结构 (cell structure)的小型化无关，且在本领域中已经进行了许多研究工作。垂直层叠LSI的方法包括一起连接带LSI的硅片，形成层叠件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂，其中　由缩合物前体或其混合物的脱水缩合，获得所述硅基础聚合物，所述缩合物前体包括具有通过由任选地含环状结构的１－１０个碳原子的直链或支链或环状脂族烃基，４或８个碳原子的含杂环的基 团，或６－１２个碳原子的含芳环的烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子的硅烷化合物，具有至少三个羟基和／或可水解基团的硅烷化合物，和　相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接 键合的那些硅原子的存在比例为至少９０ｍｏｌ％。

【技术特征摘要】
JP 2008-8-15 2008-2091971.一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂，其中由缩合物前体或其混合物的脱水缩合，获得所述硅基础聚合物，所述缩合物前体包括具有通过由任选地含环状结构的1-10个碳原子的直链或支链或环状脂族烃基，4或8个碳原子的含杂环的基团，或6-12个碳原子的含芳环的烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子的硅烷化合物，具有至少三个羟基和/或可水解基团的硅烷化合物，和相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol％。2. 权利要求1的高温粘结组合物，其中在所述硅基础聚合物内具 有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联鍵的直接键 合的那些硅原子具有通式(1)的结构QpSiR4—p-qXq (1)其中P是l-4的整数，q是0-2的整数，2<p+q<;4， Q各自独立 地为由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的二价到五价交联 基，X各自独立地为氩、羟基、l-4个碳原子的烷氧基，或者与另一硅 原子键合的氧原子上的键，和R是1 - 12个碳原子的任选取代的含脂族或芳环的单价烃基。3. 权利要求2的高温粘结组合物，其中在式(l)中满足p+q>3的硅原子数是式(l)内包括的硅原子总数的至少70mol%。4. 权利要求1的高温粘结组合物，其中具有通过交联键连接的至 少一对硅原子和具有至少三个羟基和/或可水解基团的硅烷化合物具有 通式(2)、 (3)或(4):Y^i—Z^-(SiR2j「Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨田吉隆，八木桥不二夫，浅野健，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]