一种低界面热阻氮化硼导热骨架及导热复合材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，包括步骤：对氮化硼纳米片在氩气和水气氛下进行等离子体改性，将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性，将等离子/偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片分散至聚丙烯腈溶液中并进行真空抽滤并干燥得到氮化硼/聚丙烯腈饼，将氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧使聚丙烯腈热解为石墨结构得到所述低界面热阻氮化硼导热骨架。进一步的将低界面热阻氮化硼导热骨架浸入到聚合物基体溶液中并在真空环境中放置，取出浸渍有聚合物基体的低界面热阻氮化硼导热骨架进行固化得到低界面热阻导热复合材料。本发明专利技术可减少氮化硼纳米片的使用并具有高导热率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种导热骨架及导热复合材料的制备方法，特别是涉及一种低界面热阻氮化硼导热骨架及导热复合材料的制备方法。

技术介绍

1、氮化硼纳米片作为导热填料具有高导热性、电绝缘性和稳定性强等优点，但同时也存在一些缺陷，主要存在以下问题：

2、为了显著提升复合材料的热导率，通常需要添加较高比例的氮化硼。然而，高填料含量往往会引发材料的力学性能如抗拉强度、抗冲击性等显著减弱，导致材料整体的机械稳定性降低。

3、高填料含量还可能导致氮化硼在聚合物基体中分散不均匀，形成团聚或局部堆积，导致界面缺陷增多，影响热导率的有效提升。

4、另外，氮化硼纳米片还容易形成较大的界面热阻。尽管氮化硼本身具有极高的热导率，但如果氮化硼纳米片之间的界面结合不够紧密或者存在大量空隙，会形成较大的界面热阻，阻碍热量的有效传递。

技术实现思路

1、针对上述现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，目的是降低界面热阻实现少量填充获得高效热传导效果，本专利技术还提供了一种低界面热阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，包括步骤：对氮化硼纳米片在氩气和水气氛下进行等离子体改性，将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性，将等离子/偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片分散至聚丙烯腈溶液中并进行真空抽滤并干燥得到氮化硼/聚丙烯腈饼，将氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧使聚丙烯腈热解为石墨结构得到所述低界面热阻氮化硼导热骨架。

2.根据权利要求1所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述等离子体改性时气流速度0.5～4 L/min，等离子反应时间10～150s，等离子改性电压为2～10kV，频率为1～4kHz。

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【技术特征摘要】

1.一种低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，包括步骤：对氮化硼纳米片在氩气和水气氛下进行等离子体改性，将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性，将等离子/偶联剂联合改性后的氮化硼纳米片分散至聚丙烯腈溶液中并进行真空抽滤并干燥得到氮化硼/聚丙烯腈饼，将氮化硼/聚丙烯腈饼在保护气氛下煅烧使聚丙烯腈热解为石墨结构得到所述低界面热阻氮化硼导热骨架。

2.根据权利要求1所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述等离子体改性时气流速度0.5～4 l/min，等离子反应时间10～150s，等离子改性电压为2～10kv，频率为1～4khz。

3.根据权利要求1所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述将等离子体改性后的氮化硼纳米片采用硅烷偶联剂改性具体为取硅烷偶联剂加入到乙醇和纯水的混合溶液中，调节混合溶液ph值至4～5，然后加入等离子体改性后的氮化硼纳米片进行超声分散，最后清洗并去除多余的硅烷偶联剂和杂质并干燥。

4.根据权利要求3所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂在混合溶液中含量为0.5 wt%～5wt%。

5.根据权利要求4所述的低界面热阻氮化硼导热骨架的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶...

【专利技术属性】
技术研发人员：管沁晗，窦雪寒，周丛丛，丁文惠，郭旭，刘恒洋，陈涛，凌羽雁，刘小雨，曹振兴，
申请(专利权)人：常熟理工学院，
类型：发明
国别省市：