【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在一对电极之间具有发光层的发光元件，更 具体而言，本专利技术涉及该发光元件的层结构。
技术介绍
利用从电致发光元件(一种发光元件)发射的光的发光设备 具有广视角和低功耗。最近几年，在发光设备的开发领域已经积极进行了 对能够长期提供高质量图像的发光设备的研究和开发，以便支配应用于各 种信息处理设备(诸如电视接收机和汽车导航系统)的显示设备的市场。为了获得能够长期提供高质量图像的发光设备，长寿命的发 光元件和有效发光的发光元件的开发变得非常重要。例如，专利文件1 >&开了一种与具有多个发光单元的发光元 件相关的技术，其中各个发光单元被电荷产生层隔离。该专利文件l描述 了一种具有高亮度的长寿命发光元件。但是，在专利文件1中使用的五氧 化二钒具有高的吸湿特性。因此，发光元件很可能由于五氧化二钒吸收的 湿气而被恶化。发光元件的恶化导致了发光设备中的图像质量的恶化。因此，在发光设备的开发中，制造一种具有高抗湿特性以及 高亮度的发光元件也是重要的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有卓越抗湿特性的发光元件。更 具体而言，本专利技术的目的是...
【技术保护点】
一种发光装置，包括： 薄膜晶体管；以及 连接到所述薄膜晶体管的发光元件，其中所述发光元件包括： 在阳极和阴极之间的ｎ片发光层；和 在第ｍ发光层和第ｍ＋１发光层之间的第一层和第二层，其中所述第一层包含钼氧化物和容易传输 空穴的有机物质； 其中所述第二层包含容易传输电子的物质， 其中所述第一层与所述第二层接触， 其中所述第一层比所述第二层更靠近所述阴极， 其中ｎ是自然数，以及 其中ｍ是自然数且小于ｎ。
【技术特征摘要】
JP 2004-5-21 2004-1524911.一种发光装置，包括薄膜晶体管；以及连接到所述薄膜晶体管的发光元件，其中所述发光元件包括在阳极和阴极之间的n片发光层；和在第m发光层和第m+1发光层之间的第一层和第二层，其中所述第一层包含钼氧化物和容易传输空穴的有机物质；其中所述第二层包含容易传输电子的物质，其中所述第一层与所述第二层接触，其中所述第一层比所述第二层更靠近所述阴极，其中n是自然数，以及其中m是自然数且小于n。2. 如权利要求l所述的发光装置，其中所述阳极和所述阴极中的一个具有比所述阳极和所述阴极中的 另一个的反射率更高的反射率，其中所述第m+l发光层的发射光镨的峰值波长比所述第m发光层的发 射光语的峰值波长短，以及其中所述n片发光层被这样排列，使所述第m+l发光层被放置得比所 述笫m发光层更靠近所述阴极和所述阳极中具有较高反射率的一个。3. —种发光装置，包括 薄膜晶体管；以及连接到所述薄膜晶体管的发光元件，其中所述发光元件包括 在阳极和阴极之间提供的n片层组，层组中的每一个都包括包含钼氧化物和容易传输空穴的有机物质的第一层； 包含容易传输电子的物质的第二层；和 在所述第一层和所述第二层之间提供的发光层， 其中在所述n片层组中，第m层组中包括的第一层和第m+l层组中包 括的第二层被层压且互相接触，其中所述第m层组中包括的第 一层比所述第m+l层组中包括的第二层 更靠近所述阴极，其中n是自然数，以及其中m是自然数且小于n。4. 一种发光装置，包括 薄膜晶体管；以及连接到所述薄膜晶体管的发光元件，其中所述发光元件包括 阳极；在所述阳极之上的笫一发光层；在所述第 一发光层之上的第 一层；在所述第 一层之上且与所述第 一层接触的第二层；在所述第二层之上的第二发光层；以及在所述第二发光层之上的阴极， 其中所述第一层包含容易传输电子的物质，以及 其中所述第二层包含钼氧化物和容...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊木大介，池田寿雄，安部宽子，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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