【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及分解在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工 艺中所产生的高沸点氯硅烷类含有物(以下，称为聚合物)并将其转换 为三氯硅烷的制造装置。具体而言，本专利技术涉及分解从氯化工序分离 的聚合物、或者从多晶硅的反应工序的排出气体中分离的聚合物、或 者从由排出气体中的四氯化硅生成三氯硅烷的转换工序分离的聚合 物并制造三氯硅烷的装置及三氯硅烷的制造方法。本申请针对在2008年8月5日申请的日本国专利申请第 2008-201863号主张优先权，并在此文中引用其内容。
技术介绍
用于半导体材料的高纯度多晶硅，例如以三氯硅烷(三氯化硅 SiHCl3: TCS)和氢为原料，主要由西门子法制造。西门子法是将三氯 硅烷和氢的混合气体导入反应炉内并使其与赤热的硅棒接触，通过高 温下的三氯硅烷的氢还原和热分解而使硅在上述硅棒的表面上析出 的方法。导入上述反应炉的高纯度的三氯硅烷例如可以使用为将经过 氯化工序得到的粗三氯硅烷蒸馏精制，转化为高纯度的三氯硅烷后的 产物。氯化工序是将金属硅和氯化氬导入流动氯化炉内并使其反应， 将硅氯化且使其生成粗三氯硅烷的工序。在多晶硅的制造中，反...
【技术保护点】
一种三氯硅烷制造装置，其将含有高沸点氯硅烷类的聚合物分解并制造三氯硅烷，其中，所述高沸点氯硅烷类在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工艺中产生，所述三氯硅烷制造装置设有 使所述聚合物和氯化氢在高温下反应并生成三氯硅烷的分解炉、 加热 所述分解炉的内部的加热装置、 沿所述分解炉的上下方向将所述聚合物和所述氯化氢引导至内底部并使其从下端开口部供给至分解炉内的原料供给管、 在所述原料供给管的外周面和所述分解炉的内周面之间形成的反应室、 以及从所述反应室的上部导出反应气体 的气体导出管， 在所述原料供给管的外周面或所述分解炉的内周面的至少一者上一体地形成有翅片，...
【技术特征摘要】
JP 2008-8-5 2008-2018631.一种三氯硅烷制造装置，其将含有高沸点氯硅烷类的聚合物分解并制造三氯硅烷，其中，所述高沸点氯硅烷类在多晶硅制造工艺、三氯硅烷制造工艺或转换工艺中产生，所述三氯硅烷制造装置设有使所述聚合物和氯化氢在高温下反应并生成三氯硅烷的分解炉、加热所述分解炉的内部的加热装置、沿所述分解炉的上下方向将所述聚合物和所述氯化氢引导至内底部并使其从下端开口部供给至分解炉内的原料供给管、在所述原料供给管的外周面和所述分解炉的内周面之间形成的反应室、以及从所述反应室的上部导出反应气体的气体导出管，在所述原料供给管的外周面或所述分解炉的内周面的至少一者上一体地形成有翅片，所述翅片一边混合从所述原料供给管的下端开口部供给的所述聚合物和所述氯化氢一边引导所述聚合物和所述氯化氢上升。2. 根据权利要求1所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，所 述原料供给管沿所述分解炉的中心轴笔直地设置。3. 根据权利要求1或2所述的三氯硅烷制造装置，其特征在于，合物供给系和氯化氢供给系，在原料供给管的内部，具有笫2翅片的 ...
【专利技术属性】
技术研发人员：石井敏由记，驹井荣治，佐藤春美，
申请(专利权)人：三菱麻铁里亚尔株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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