【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种电路测试方法及设备。
技术介绍
1、随着存储器的密度不断增加，其存储单元中的数据线在物理上更加接近，由此导致相邻的数据线之间的电容耦合逐渐增大。当对某一行(row)地址高频重复访问时，很可能导致该行地址附近数据线上的数据异常，通常称这种现象为行锤击(row hammer)。
2、为了解决上述问题，现有的一些半导体存储装置增加了行锤击刷新(row hammerrefresh，rhr)电路，用来额外刷新被高频重复访问的行地址附近的数据线，以达到保护数据的目的。
3、其中，rhr电路的工作效率决定了rhr电路是否能够准确捕捉到被高频重复访问的行地址，因此，如何测试rhr电路的工作效率，是目前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开提供了一种电路测试方法及设备，可以有效检测rhr电路的工作效率。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种电路测试方法，应用于存储器，所述存储器设置有rhr电路，所述方法包括：
3、多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址，并记录每次访问的bank信息与第一行地址；其中，各个所述第一行地址被访问的概率不相同；
4、监测所述rhr电路的行锤击刷新操作，并记录每次行锤击刷新操作对应的bank信息与第一行地址；
5、基于已记录的每次访问的bank信息与第一行地址，以及每次行锤击刷新操作对应的bank信息与第一行地址，统计各个所述第一行地址在各个bank的访问次数与
6、根据各个所述第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数，确定所述rhr电路的工作效率。
7、在一种可行的实施方式中，还包括：
8、每隔n个trefi，对所述存储器执行n次预设刷新操作；其中，1≤n≤9。
9、在一种可行的实施方式中，所述2≤n≤9，所述每隔n个trefi，对所述存储器执行n次预设刷新操作，包括：
10、每隔n个trefi，对所述存储器连续执行n次预设刷新操作。
11、在一种可行的实施方式中，所述预设刷新操作为全存储库刷新操作。
12、在一种可行的实施方式中，所述多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址之前，还包括：
13、在所述存储器中随机选取若干个行地址作为所述第一行地址。
14、在一种可行的实施方式中，所述多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址，包括：
15、访问所述存储器中的各个所述第一行地址，并在每访问一个所述第一行地址后，随机访问一个所述存储器中除所述第一行地址之外的第二行地址。
16、在一种可行的实施方式中，所述根据各个所述第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数，确定所述rhr电路的工作效率，包括：
17、将同一个所述第一行地址在同一个bank的访问次数与行锤击刷新次数作为一个判断数组，确定各个所述判断数组是否满足预设条件；所述预设条件为同一个所述第一行地址在同一个bank的访问次数大于预设第一次数阈值，且在所述同一个bank的行锤击刷新次数为预设值或者小于预设第二次数阈值；
18、根据满足所述预设条件的所述判断数组的个数，确定所述rhr电路的工作效率；其中，所述rhr电路的工作效率与满足所述预设条件的所述判断数组的个数成反比例。
19、第二方面，本公开实施例提供了一种电路测试装置，应用于存储器，所述存储器设置有rhr电路，所述装置包括：
20、访问模块，用于多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址，并记录每次访问的bank信息与第一行地址；其中，各个所述第一行地址被访问的概率不相同；
21、监测模块，用于监测所述rhr电路的行锤击刷新操作，并记录每次行锤击刷新操作对应的bank信息与第一行地址；
22、统计模块，用于基于已记录的每次访问的bank信息与第一行地址，以及每次行锤击刷新操作对应的bank信息与第一行地址，统计各个所述第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数；
23、处理模块，用于根据各个所述第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数，确定所述rhr电路的工作效率。
24、在一种可行的实施方式中，还包括刷新模块，用于：
25、每隔n个trefi，对所述存储器执行n次预设刷新操作；其中，1≤n≤9。
26、在一种可行的实施方式中，所述2≤n≤9，所述刷新模块具体用于：
27、每隔n个trefi，对所述存储器连续执行n次预设刷新操作。
28、在一种可行的实施方式中，所述预设刷新操作为全存储库刷新操作。
29、在一种可行的实施方式中，还包括选取模块，用于：
30、在所述存储器中随机选取若干个行地址作为所述第一行地址。
31、在一种可行的实施方式中，所述访问模块具体用于：
32、访问所述存储器中的各个所述第一行地址，并在每访问一个所述第一行地址后，随机访问一个所述存储器中除所述第一行地址之外的第二行地址。
33、在一种可行的实施方式中，所述处理模块具体用于：
34、将同一个所述第一行地址在同一个bank的访问次数与行锤击刷新次数作为一个判断数组，确定各个所述判断数组是否满足预设条件；所述预设条件为同一个所述第一行地址在同一个bank的访问次数大于预设第一次数阈值，且在所述同一个bank的行锤击刷新次数为预设值或者小于预设第二次数阈值；
35、根据满足所述预设条件的所述判断数组的个数，确定所述rhr电路的工作效率；其中，所述rhr电路的工作效率与满足所述预设条件的所述判断数组的个数成反比例。
36、第三方面，本公开实施例提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器和存储器；
37、所述存储器存储计算机执行指令；
38、所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令，使得所述至少一个处理器执行如第一方面提供的电路测试方法。
39、第四方面，本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当计算机执行所述计算机执行指令时，实现如第一方面提供的电路测试方法。
40、第五方面，本公开实施例提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被计算机执行时，实现如第一方面提供的电路测试方法。
41、本公开实施例提供的电路测试方法及设备，包括：多次访问存储器中预选的若干个第一行地址，并记录每次访问的bank信息与第一行地址，以及rhr电路的每次行锤击刷新操作对应的bank信息与第一行地址；基于已记录的信息，统计出各个第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数，根据各个第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数，即可确定出rhr电路是否能够准确捕捉到每一个被高频重复本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电路测试方法，其特征在于，应用于存储器，所述存储器设置有行锤击刷新RHR电路，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的电路测试方法，其特征在于，2≤n≤9，所述每隔n个tREFI，对所述存储器执行n次预设刷新操作，包括：
4.根据权利要求3所述的电路测试方法，其特征在于，所述预设刷新操作为全存储库刷新操作。
5.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址之前，还包括：
6.根据权利要求1至5任一项所述的电路测试方法，其特征在于，所述多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址，包括：
7.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述根据各个所述第一行地址在各个Bank的访问次数与行锤击刷新次数，确定所述RHR电路的工作效率，包括：
8.一种电路测试装置，其特征在于，应用于存储器，所述存储器设置有RHR电路，所述装置包括：
9.根据权利要求8所述的电路测试装置，其特征
10.根据权利要求9所述的电路测试装置，其特征在于，2≤n≤9，所述刷新模块具体用于：
11.根据权利要求10所述的电路测试装置，其特征在于，所述预设刷新操作为全存储库刷新操作。
12.根据权利要求8所述的电路测试装置，其特征在于，还包括选取模块，用于：
13.根据权利要求8至12任一项所述的电路测试装置，其特征在于，所述访问模块具体用于：
14.根据权利要求8所述的电路测试装置，其特征在于，所述处理模块具体用于：
15.一种电子设备，其特征在于，包括：至少一个处理器和存储器；
16.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当计算机执行所述计算机执行指令时，实现如权利要求1至7任一项所述的电路测试方法。
17.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被计算机执行时，实现权利要求1至7任一项所述的电路测试方法。
...【技术特征摘要】
1.一种电路测试方法，其特征在于，应用于存储器，所述存储器设置有行锤击刷新rhr电路，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的电路测试方法，其特征在于，2≤n≤9，所述每隔n个trefi，对所述存储器执行n次预设刷新操作，包括：
4.根据权利要求3所述的电路测试方法，其特征在于，所述预设刷新操作为全存储库刷新操作。
5.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址之前，还包括：
6.根据权利要求1至5任一项所述的电路测试方法，其特征在于，所述多次访问所述存储器中预选的若干个第一行地址，包括：
7.根据权利要求1所述的电路测试方法，其特征在于，所述根据各个所述第一行地址在各个bank的访问次数与行锤击刷新次数，确定所述rhr电路的工作效率，包括：
8.一种电路测试装置，其特征在于，应用于存储器，所述存储器设置有rhr电路，所述装置包括：
9...
【专利技术属性】
技术研发人员：史腾，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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