【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及一种半导体存储器装置，更具体地，涉及一种降低由于表面安装技术(smt)工艺引起的操作系统(os)数据的可靠性劣化的闪存。
技术介绍
1、半导体存储器可被分类为易失性存储器或非易失性存储器。当与非易失性存储器相比时，易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(dram)或静态随机存取存储器(sram))可表现出更快的读取和/或写入速度。然而，当施加到易失性存储器的电源关闭时，存储在易失性存储器中的数据可消失。相反，即使当电源关闭时，非易失性存储器也可保持数据。
2、非易失性存储器的典型示例可以是闪存。闪存可将两个或更多个位的多位数据存储在一个存储器单元中。根据阈值电压分布，闪存可具有至少一个擦除状态和多个编程(例如，写入)状态。
3、闪存可用作电子装置(诸如但不限于计算机、智能电话、数码相机等)的存储装置。例如，存储装置可被配置为存储其他类型的数据之中的操作系统(os)数据。os数据可在存储装置被安装在印刷电路板上之前存储在存储装置中。
4、表面安装技术(smt)和/或红外回流(ir回流)可用于将存储装置安装到印刷电路板上。然而，存储在闪存中的os数据的可靠性可由于安装过程而劣化。例如，闪存的存储器单元的阈值电压分布可能由于高温smt工艺而改变，并且因此，存储在闪存中的os数据的可靠性可劣化。
5、因此，由于对可靠的os数据的需求可受到存储装置制造工艺的约束，因此存在对存储装置技术的进一步改进的需要。在此提出了改进。这些改进还可适用于其他存储器存储技术和采用这些技术的标准。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种闪存，该闪存可降低由于表面安装技术(smt)工艺中的高温劣化而生成错误位的概率。
2、本公开的方面提供了一种闪存，该闪存可减小由于smt工艺引起的操作系统(os)数据的可靠性劣化。
3、根据本公开的一方面，提供一种操作闪存的方法。该方法包括：擦除存储器块中的多个存储器单元；通过将预编程电压施加到结合到存储器块的字线，来减少在smt工艺期间由于高温劣化引起的所述多个存储器单元的横向电荷损失；以及在执行smt工艺之前，在所述多个存储器单元中执行os数据的多位编程。预编程电压的施加使得所述多个存储器单元的阈值电压增大。
4、根据本公开的一方面，提供一种操作闪存的方法。所述方法包括：擦除存储器块中的多个存储器单元；将os数据多位编程到所述多个存储器单元；以及通过使用软应力来增加处于擦除状态的所述多个存储器单元的阈值电压，来减少在smt工艺期间由于高温劣化引起的所述多个存储器单元的横向电荷损失。
5、根据本公开的一方面，提供一种操作存储装置的方法。所述方法包括：擦除所述存储装置的存储器块中的存储器单元；将os数据多位编程到擦除的存储器单元；以及使用状态整形编码器对多位编程的存储器单元的编程状态进行整形，来减少在smt工艺期间由于高温劣化引起的多位编程的存储器单元的横向电荷损失。
6、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述而清楚或者可通过实践所呈现的实施例而得知。
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1.一种操作闪存的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行多位编程的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加预编程电压的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，施加预编程电压的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，施加预编程电压的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.一种操作闪存的方法，所述方法在表面安装技术工艺之前对操作系统数据进行编程，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，软应力包括读取干扰。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，将操作系统数据多位编程的步骤包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中：
13.根据权利要求9至12中的任一项所述的方法，还包括：
14.根据权利要求9至12中的任一项所述的方法，其中，将操作系统数据多位编程的步
15.根据权利要求13所述的方法，还包括：
16.一种操作存储装置的方法，所述方法在表面安装技术工艺之前在所述存储装置中对操作系统数据进行编程，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
18.根据权利要求16所述的方法，其中，对多位编程的存储器单元的编程状态进行整形的步骤包括：
19.根据权利要求16至18中的任一项所述的方法，其中，将操作系统数据多位编程的步骤包括：
20.根据权利要求17所述的方法，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种操作闪存的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行多位编程的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，施加预编程电压的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，施加预编程电压的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，施加预编程电压的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：
9.一种操作闪存的方法，所述方法在表面安装技术工艺之前对操作系统数据进行编程，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，软应力包括读取干扰。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，将操作系统数...
【专利技术属性】
技术研发人员：安孝珍，金成国，申东右，李书永，李昌骏，赵勳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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