半导体封装以及制造半导体封装的方法技术

技术编号:41263723 阅读:19 留言:0更新日期:2024-05-11 09:20
本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种半导体封装包括:第一再分布基板,包括第一主体层和在第一主体层中的第一布线层;半导体芯片,在第一再分布基板上;贯通柱,在半导体芯片周围并在第一再分布基板上;以及第二再分布基板,在半导体芯片和贯通柱上,其中,第一布线层包括第一钛籽晶层,第一钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。

【技术实现步骤摘要】

公开了半导体封装及其制造方法。


技术介绍

1、根据电子产业的快速发展和来自用户的要求,电子装置的尺寸和重量正越来越减小。电子装置的尺寸和重量的减小导致用于电子装置的半导体封装的尺寸和重量的减小。此外,对于半导体封装需要高可靠性以及高性能和大容量。随着半导体封装的性能和容量的提高,半导体封装的功耗正在增加。因此,半导体封装的结构被认为更加重要以应对半导体封装的尺寸和性能以及稳定地向半导体封装供电。


技术实现思路

1、实施方式针对一种半导体封装,该半导体封装包括:第一再分布基板,包括第一主体层和在第一主体层中的第一布线层;半导体芯片,在第一再分布基板上;贯通柱,在半导体芯片周围并在第一再分布基板上;以及第二再分布基板,在半导体芯片和贯通柱上,其中第一布线层包括第一钛籽晶层,第一钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。

2、实施方式针对一种半导体封装,该半导体封装包括:第一再分布基板;半导体芯片,在第一再分布基板上;贯通柱,在半导体芯片周围并在第一再分布基板上;密封材料,围绕贯通柱的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体封装,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述第一钛籽晶层的所述顶表面的面积小于所述铜籽晶层的底表面的面积,并等于或大于所述铜籽晶层的所述底表面的所述面积的65%。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述梯形结构的侧边倾斜角为从65°至90°。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述贯通柱包括第四钛籽晶层,所述第四钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽...

【技术特征摘要】

1.一种半导体封装,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中所述第一钛籽晶层的所述顶表面的面积小于所述铜籽晶层的底表面的面积,并等于或大于所述铜籽晶层的所述底表面的所述面积的65%。

4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述梯形结构的侧边倾斜角为从65°至90°。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述贯通柱包括第四钛籽晶层,所述第四钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。

8.根据权利要求1所述的半导体封装,其中:

9.一种半导体封装,包括:

10.根据权利要求9所述的半导体封装,其中:

11.根据权利要求9所述的半导体封装,其中:

12.一种制造半导体封装的方法,所述方法包括:<...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑曔玉具慈庆
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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