【技术实现步骤摘要】
公开了半导体封装及其制造方法。
技术介绍
1、根据电子产业的快速发展和来自用户的要求，电子装置的尺寸和重量正越来越减小。电子装置的尺寸和重量的减小导致用于电子装置的半导体封装的尺寸和重量的减小。此外，对于半导体封装需要高可靠性以及高性能和大容量。随着半导体封装的性能和容量的提高，半导体封装的功耗正在增加。因此，半导体封装的结构被认为更加重要以应对半导体封装的尺寸和性能以及稳定地向半导体封装供电。
技术实现思路
1、实施方式针对一种半导体封装，该半导体封装包括：第一再分布基板，包括第一主体层和在第一主体层中的第一布线层；半导体芯片，在第一再分布基板上；贯通柱，在半导体芯片周围并在第一再分布基板上；以及第二再分布基板，在半导体芯片和贯通柱上，其中第一布线层包括第一钛籽晶层，第一钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。
2、实施方式针对一种半导体封装，该半导体封装包括：第一再分布基板；半导体芯片，在第一再分布基板上；贯通柱，在半导体芯片周围并在第一再分布基板上；密封材料，围绕贯通柱的侧表面，并覆盖和密封半导体芯片；第二再分布基板，在密封材料和贯通柱上；以及外部接触端子，在第一再分布基板的底表面上呈扇出结构，其中，第一再分布基板和第二再分布基板的每个包括主体层和在主体层中的布线层，布线层包括第一钛籽晶层、在第一钛籽晶层上的铜籽晶层以及在铜籽晶层上的铜布线，该第一钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面，该梯形结构的侧边倾斜角为从约65°至约90
3、实施方式针对一种制造半导体封装的方法，该方法包括：在载体基板上形成第一再分布基板；在第一再分布基板的外围部分上形成贯通柱；在第一再分布基板的中心部分上堆叠半导体芯片；形成覆盖贯通柱和半导体芯片的密封材料；研磨密封材料的上部以暴露贯通柱的顶表面；以及在贯通柱和密封材料上形成第二再分布基板，其中，第一再分布基板和第二再分布基板的每个包括主体层和在主体层中的布线层，布线层包括第一钛籽晶层，该第一钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的截面，第一钛籽晶层通过氟化物蚀刻剂形成。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一钛籽晶层的所述顶表面的面积小于所述铜籽晶层的底表面的面积，并等于或大于所述铜籽晶层的所述底表面的所述面积的65％。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述梯形结构的侧边倾斜角为从65°至90°。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述贯通柱包括第四钛籽晶层，所述第四钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
9.一种半导体封装，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中：
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中：
12.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第一再分布基板包括：
14.根据权
15.根据权利要求13所述的方法，其中：
16.根据权利要求13所述的方法，其中：
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述氟化物蚀刻剂包括有机酸或无机酸、含氟源、卤化物的第一添加剂以及唑类化合物的第二添加剂。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述氟化物蚀刻剂的pH为从2至4，以及
19.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一再分布基板和所述第二再分布基板中的至少一个在所述主体层中还包括附加布线层，所述附加布线层布置在与其中布置所述布线层的层不同的层中，以及
20.根据权利要求12所述的方法，还包括，在形成所述第二再分布基板之后，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一钛籽晶层的所述顶表面的面积小于所述铜籽晶层的底表面的面积，并等于或大于所述铜籽晶层的所述底表面的所述面积的65％。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述梯形结构的侧边倾斜角为从65°至90°。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述贯通柱包括第四钛籽晶层，所述第四钛籽晶层具有其中顶表面窄并且底表面宽的梯形结构的垂直截面。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：
9.一种半导体封装，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中：
11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中：
12.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：<...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。