【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测领域，尤其涉及一种制冷红外芯片的制作方法及制冷红外芯片。
技术介绍
1、红外焦平面探测器是现代红外成像系统的关键核心部件。铟因具有非常高的量子效率和电子迁移率，使得采用铟制作探测器表现出极高的灵敏度。因此，在中波红外、单色探测领域，综合考虑生产成本、像元均匀性和一致性等因素，采用铟制作的红外焦平面探测器优势显著，被广泛应用于航空航天红外遥感、国防、气象和科学仪器等领域。在此类芯片加工中，目前最常用的是倒装式混合结构，采用铟柱倒焊技术的互连方法，探测器阵列和硅多路传输器这两个芯片通过的铟柱对接，将探测器阵列的每个探测元与多路传输器一对一地对准配接起来；但在加工过程中，该类芯片中的铟柱断裂的现象经常出现，严重降低了其最终的成品率。
技术实现思路
1、对于现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种制冷红外芯片的制作方法，包括步骤：
2、将碲锌镉晶圆作为衬底；
3、在碲锌镉衬底上依次生长碲镉汞与钝化层；
4、在芯片顶部匀上光刻胶；
5、对碲锌镉衬底进行减薄；
6、去除光刻胶并进行清洗。
7、可选的，该制作方法还包括步骤：在进行减薄并清洗后的芯片钝化层上进行开孔，并在开孔处生长金属电极；在金属电极上光刻出铟柱孔，并进行铟柱孔内生长铟柱；对芯片进行剥离清洗；根据切割道进行划片；与读出电路进行倒焊连接；将调配好的胶水点灌到倒焊好的芯片与读出电路的缝隙之间，并进行高温烘烤固化。
8、可选的，所
9、可选的，所述减薄为机械研磨。
10、可选的，所述机械研磨为使用砂轮进行物理机械研磨。
11、可选的，所述砂轮转速为500～3000rpm。
12、可选的，所述胶水为ab胶。
13、本专利技术还提供一种制冷红外芯片，其碲锌镉衬底厚度为300um～700um。
14、本专利技术通过对碲锌镉衬底进行减薄，减小了填胶烘烤产生的热应力，降低了铟柱因为应力而导致脱落或断裂的可能；同时，在铟光刻之前进行减薄，可以让芯片衬底更加平整，有利于光刻加工，也有利于镀膜长铟；碲锌镉衬底通过减薄，有了更高的平整度，去掉了不平整的地方，能使倒焊更好的控制垂向精度，提升倒焊良率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种制冷红外芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，还包括步骤：
3.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，所述碲锌镉减薄后的厚度为300um～700um。
4.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，所述减薄为机械研磨。
5.根据权利要求4所述的芯片制作方法，其特征在于，所述机械研磨为使用砂轮进行物理机械研磨。
6.根据权利要求5所述的芯片制作方法，其特征在于，所述砂轮转速为500～3000rpm。
7.根据权利要求2所述的芯片制作方法，其特征在于，所述胶水为AB胶。
8.一种利用权利要求1的方法形成的制冷红外芯片，其特征在于，其碲锌镉衬底厚度为300um～700um。
【技术特征摘要】
1.一种制冷红外芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，还包括步骤：
3.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，所述碲锌镉减薄后的厚度为300um～700um。
4.根据权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，所述减薄为机械研磨。
5.根据权利要求4所述的芯...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐志敏，谭必松，李伟伟，毛剑宏，姚佳静，江益坤，张国锋，
申请(专利权)人：浙江珏芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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