【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液及方法。
技术介绍
1、红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一，探测器制备过程中首先需要在碲镉汞材料表面生长一层cdte薄膜将碲镉汞材料与外部环境隔离并起到绝缘作用。cdte薄膜还可能用作红外传感器的保护层，防止外部环境中的杂质、湿气或化学物质对传感器的影响。这有助于提高传感器的稳定性和寿命。
2、因此，提高cdte形貌是亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液及方法，腐蚀所得cdte薄膜表面形貌高度均匀，易控制。
2、本申请提供一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液，其包括作为溶剂的水、以及h2o2，h2o2溶液的浓度为：10％-80％。
3、本申请还提供了一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法，其包括：
4、提供基底；
5、利用镀膜设备在基底表面形成cdte薄膜；
6、制备含有h2o2的反应液，溶剂为水，h2o2溶液的浓度为：10％-80％；
7、利用反应液腐蚀cdte薄膜。
8、本专利技术通过提供了一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的
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1.一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液，其特征在于，包括：作为溶剂的水、以及H2O2，H2O2的浓度为：10％-80％。
2.根据权利要求1所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液，其特征在于，还包括KOH,其中KOH的浓度为：10％-80％，
3.一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，制备含有H2O2的反应液步骤中还包括加入KOH溶液，浓度为：10％-80％。
5.根据权利要求4所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，制备含有H2O2的反应液步骤为：混合KOH溶液和H2O2溶液，其中KOH溶液的浓度为：10％-80％，H2O2溶液的浓度为：10％-80％，KOH溶液和H2O2溶液的体积比范围为：2000：1至1：2000。
6.根据权利要求5所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，利用反应液腐蚀CdTe薄膜步骤之前还包括：对反应液加温到0-10
7.根据权利要求6所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，对反应液加温包括：将配置好的反应液连带烧杯整体置于水浴锅中。
8.根据权利要求7所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，基底材料为碲镉汞、CZT、Si、玻璃片中的任意一种。
9.根据权利要求8所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法，其特征在于，所述腐蚀方法包括水浴浸泡、超声浸泡、反应液旋涂、反应液喷涂、反应液蒸汽刻蚀中的任意一种。
...【技术特征摘要】
1.一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液，其特征在于，包括：作为溶剂的水、以及h2o2，h2o2的浓度为：10％-80％。
2.根据权利要求1所述的快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液，其特征在于，还包括koh,其中koh的浓度为：10％-80％，
3.一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法，其特征在于，制备含有h2o2的反应液步骤中还包括加入koh溶液，浓度为：10％-80％。
5.根据权利要求4所述的快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法，其特征在于，制备含有h2o2的反应液步骤为：混合koh溶液和h2o2溶液，其中koh溶液的浓度为：10％-80％，h2o2溶液...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国锋，段鹏，谭必松，陈殊璇，宋鲁霞，龚汉红，毛剑宏，
申请(专利权)人：浙江珏芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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