一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液及方法技术

技术编号:40763923 阅读:29 留言:0更新日期:2024-03-25 20:14
本申请公开一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液,包括:作为溶剂的水、以及H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;,H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;的浓度为:10%‑80%,本发明专利技术,可以得到CdTe薄膜表面形貌高度均匀,易控制,并且所需反应液易配置,简单易得;所用方法简便,易于操作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液及方法。


技术介绍

1、红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点,广泛应用于农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动,太空天文探测等领域。碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一,探测器制备过程中首先需要在碲镉汞材料表面生长一层cdte薄膜将碲镉汞材料与外部环境隔离并起到绝缘作用。cdte薄膜还可能用作红外传感器的保护层,防止外部环境中的杂质、湿气或化学物质对传感器的影响。这有助于提高传感器的稳定性和寿命。

2、因此,提高cdte形貌是亟待解决的问题。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液及方法,腐蚀所得cdte薄膜表面形貌高度均匀,易控制。

2、本申请提供一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液,其包括作为溶剂的水、以及h2o2,h2o2溶液的浓度为:10%-80%。

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【技术保护点】

1.一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液,其特征在于,包括:作为溶剂的水、以及H2O2,H2O2的浓度为:10%-80%。

2.根据权利要求1所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液,其特征在于,还包括KOH,其中KOH的浓度为:10%-80%,

3.一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的方法,其特征在于,制备含有H2O2的反应液步骤中还包括加入KOH溶液,浓度为:10%-80%。

5.根据权利要求4所述的快速改变红外器件表面C...

【技术特征摘要】

1.一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液,其特征在于,包括:作为溶剂的水、以及h2o2,h2o2的浓度为:10%-80%。

2.根据权利要求1所述的快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的反应液,其特征在于,还包括koh,其中koh的浓度为:10%-80%,

3.一种快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法,其特征在于,包括:

4.根据权利要求3所述的快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法,其特征在于,制备含有h2o2的反应液步骤中还包括加入koh溶液,浓度为:10%-80%。

5.根据权利要求4所述的快速改变红外器件表面cdte薄膜形貌的方法,其特征在于,制备含有h2o2的反应液步骤为:混合koh溶液和h2o2溶液,其中koh溶液的浓度为:10%-80%,h2o2溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员:张国锋段鹏谭必松陈殊璇宋鲁霞龚汉红毛剑宏
申请(专利权)人:浙江珏芯微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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