【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、自共振频率(srf)是反映电感质量的关键因素之一。自共振频率越高，有效工作频率越宽。目前，螺旋电感的自共振频率主要受线圈与线圈之间、以及线圈与衬底之间的耦合电容的影响。
2、减少耦合电容有助于提高电感的自共振频率，进而提高电感的品质因数。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高电感的品质因数。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的电感结构，电感结构包括若干圈线圈，若干圈线圈呈螺旋状上升分布，若干圈线圈包括第一类线圈和第二类线圈，第一类线圈环绕第二类线圈，第二类线圈的宽度小于第一类线圈的宽度。
3、可选的，第二类线圈的宽度小于第一类线圈宽度的18％。
4、可选的，第二类线圈的线圈圈数为至少1个线圈。
5、可选的，第二类线圈的线圈数量大于第一类线圈的线圈
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【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二类线圈的宽度小于所述第一类线圈宽度的18％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二类线圈的线圈圈数为至少1个线圈。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二类线圈的线圈数量大于第一类线圈的线圈圈数。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述线圈结构包括第一端和第二端，所述第一端为第一类线圈最外层线圈的端口，所述第二端为第二类线圈最内层线圈的端口；所述半导体结构还包括：与第一端相连接的第一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二类线圈的宽度小于所述第一类线圈宽度的18％。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二类线圈的线圈圈数为至少1个线圈。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二类线圈的线圈数量大于第一类线圈的线圈圈数。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述线圈结构包括第一端和第二端，所述第一端为第一类线圈最外层线圈的端口，所述第二端为第二类线圈最内层线圈的端口；所述半导体结构还包括：与第一端相连接的第一导电结构；与第二端相连接的第二导电结构，所述第二导电结构包括：第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层与第一导电结构为同一层金属，所述第一金属层与最内层线圈为同一层金属。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一金属层和第二金属层之间的介电层；位于介电层内的连接插塞，所述第一金属层和第二金属层通过连接插塞电连接。
7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构和第二导电结构的材料与线圈的材料相同。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述线圈的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
...【专利技术属性】
技术研发人员：黄曦，王晓东，王西宁，钱蔚宏，李莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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