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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的电感结构,所述电感结构包括若干圈线圈,若干圈线圈呈螺旋状上升分布,若干圈线圈包括第一类线圈和第二类线圈,所述第一类线圈环绕所述第二类线圈,所述第二类线圈的宽度小于所述第一类线圈的宽度。...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,结构包括:衬底;位于衬底上的电感结构,所述电感结构包括若干圈线圈,若干圈线圈呈螺旋状上升分布,若干圈线圈包括第一类线圈和第二类线圈,所述第一类线圈环绕所述第二类线圈,所述第二类线圈的宽度小于所述第一类线圈的宽度。...