【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善金属零层缺陷的方法。
技术介绍
1、随着半导体器件关键尺寸不断缩小，中段金属互连电阻变得尤为重要。中段金属零层接触孔需引入新材料co以满足器件需要。
2、引入新材料co的活性很强，后续工艺整合过程中很容易产生co的损失缺陷，特别是后续高阻层的湿法刻蚀和通孔金属层研磨时的研磨液，均会导致co的损失缺陷。
3、为解决上述问题，需要提出一种新型的改善金属零层缺陷的方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善金属零层缺陷的方法，用于解决现有技术中金属零层的活性较强，后续的工艺易造成损失缺陷的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善金属零层缺陷的方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，所述衬底上形成集成电路器件；
4、步骤二、在所述衬底上形成第一层间介质层，在所述第一层间介质层上形成开口图形用以定义出金属零层的形成区域，利用淀积、研磨在所述开口图形上形成金属零层；
5、步骤三、在所述金属零层的上表面形成疏水材料层；
6、步骤四、形成覆盖所述第一层间介质层的第一硬掩膜层，在所述第一硬掩膜层上形成高阻层和位于所述高阻层上的第二硬掩膜层；
7、步骤五、图形化所述第二硬掩膜层使得部分所述高阻层裸露，刻蚀去除裸露的高阻层；
8、步骤六、形成覆盖所述高阻层、所述第二硬掩膜层的第二层间介质层，在所述
9、步骤七、去除裸露的所述疏水材料层，在所述通孔中分别形成与所述高阻层、所述疏水材料层形成电接触的金属层。
10、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
11、优选地，步骤二中的所述金属零层的材料为钴。
12、优选地，步骤二中的所述第一层间介质层和步骤六中的所述第二层间介质层的材料包括氧化硅的介电材料、低k介电材料中的至少一种。
13、优选地，步骤三中的所述疏水材料层的厚度为30至50埃。
14、优选地，步骤三中的所述疏水材料层的材料为pet。
15、优选地，步骤四中的所述高阻层的材料为氮化钛。
16、优选地，步骤四中的所述第一硬掩膜层的材料为氮化硅。
17、优选地，步骤四中的所述第二硬掩层由自下而上依次堆叠的第一氮化层、氧化层、第二氮化层组成。
18、优选地，步骤五中利用湿法刻蚀的方法去除裸露的所述高阻层。
19、优选地，步骤七中利用h2和he作为刻蚀气体去除所述疏水材料层。
20、优选地，步骤七中的所述金属层的材料为钨。
21、如上所述，本专利技术的改善金属零层缺陷的方法，具有以下有益效果：
22、本专利技术能够金属零层的损失缺陷，进而提高器件性能和良率。
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1.一种改善金属零层缺陷的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述金属零层的材料为钴。
4.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一层间介质层和步骤六中的所述第二层间介质层的材料包括氧化硅的介电材料、低k介电材料中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤三中的所述疏水材料层的厚度为30至50埃。
6.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤三中的所述疏水材料层的材料为PET。
7.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤四中的所述高阻层的材料为氮化钛。
8.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤四中的所述第一硬掩膜层的材料为氮化硅。
9.根据权利要求1所述的改善金属零
10.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤五中利用湿法刻蚀的方法去除裸露的所述高阻层。
11.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤七中利用H2和He作为刻蚀气体去除所述疏水材料层。
12.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤七中的所述金属层的材料为钨。
...【技术特征摘要】
1.一种改善金属零层缺陷的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述金属零层的材料为钴。
4.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤二中的所述第一层间介质层和步骤六中的所述第二层间介质层的材料包括氧化硅的介电材料、低k介电材料中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤三中的所述疏水材料层的厚度为30至50埃。
6.根据权利要求1所述的改善金属零层缺陷的方法，其特征在于：步骤三中的所述疏水材料层的材料为pet。
【专利技术属性】
技术研发人员：伏广才，朱瑜杰，叶炅翰，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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