套刻精度的量测方法技术

本发明专利技术提供一种套刻精度的量测方法，在第一层间介质层上形成第一开口，在第一开口中利用淀积、研磨形成第一金属层，在第一层间介质层、第一金属层上形成第二层间介质层，在第二层间介质层上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成第一光刻胶层，光刻打开第一光刻胶层，在关键尺寸量测区域上的第一光刻胶层上形成第二开口，在芯片区上的光刻层上形成第三开口，第二、三开口分别位于其下方的第一金属层上方，第二开口相对于关键尺寸量测区域上的第一金属层的关键尺寸较大；利用刻蚀图形化硬掩膜层，之后去除第一光刻胶层；形成覆盖硬掩膜层的填充层。本发明专利技术能够在双大马士革后段的工艺当中，即使两金属层中间有介质层，也能够量测两金属层之间的套刻精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种套刻精度的量测方法。

技术介绍

1、光刻套刻精度的量测有ibo(image based overlay)和dbo(diffraction basedoverlay)两种常用标识,ibo和dbo的标识都是基于光的反射和光的衍射对前层和当成进行识别。在实际应用中，由于受到前层薄膜厚度的均匀性和前层工艺的影响，对量测的准确性有一定程度干扰。为了提高准确性，ibo和dbo会引入不同的光源和标识类型进行评价，以便寻找准确性最高的光源和标识进行量测。

2、请参阅图1，对于ibo和dbo准确性的评价，业界一般会引入第三方评价标识，即基于扫描电子显微镜的标识(cdsem ovl mark)。在常见的后段工艺中，m1单大马士革工艺当层刻蚀完成后，前后两层之间没有介质层，cdsem机台可以正常识别到前后两层图形进行量测。但在双大马士革后段的工艺当中，由于mx和mx-1中间有介质层，扫描显微镜的电子束无法穿透，导致无法直接量测mx和mx-1之间的套刻精度。

3、为解决上述问题，需要提出一种新型的套刻精度的量测方法。...

【技术保护点】

1.一种套刻精度的量测方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤一中还提供有衬底，在所述衬底上形成有集成电路器件，在所述衬底上形成有互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件，所述第一层间介质层位于最顶层的所述导电部件上，所述第一金属层与其下方的所述导电部件形成电接触。

3.根据权利要求3所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。

4.根据权利要求1所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氮化...

【技术特征摘要】

1.一种套刻精度的量测方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤一中还提供有衬底，在所述衬底上形成有集成电路器件，在所述衬底上形成有互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件，所述第一层间介质层位于最顶层的所述导电部件上，所述第一金属层与其下方的所述导电部件形成电接触。

3.根据权利要求3所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。

4.根据权利要求1所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤一中的所述硬掩膜层的材料为氮化钛。

5.根据权利要求1所述的套刻精度的量测方法，其特征在于：步骤四中的所述填充层为旋涂碳硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱睿，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：