【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体激光器脉冲驱动电路。
技术介绍
随着光纤传感技术的发展和广泛应用，人们对窄脉冲大电流的半导体激光器驱动 电路的设计指标要求越来越高。传统的半导体激光器脉冲驱动电路的设计原理是利用同步 信号触发大功率晶体管通断以控制光脉冲触发频率，并通过选择不同的储能电容的大小控 制半导体激光器的输出光脉冲宽度，这种电路设计一般都存在反应时间慢、脉冲宽度大、驱 动电流小的缺点。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种反应时间快、脉冲宽度 窄、驱动电流大的半导体激光器脉冲驱动电路。 本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为该半导体激光器脉冲驱动电路， 用于产生触发半导体激光器发光所需要的脉冲电流，包括 半导体激光器触发电路，该半导体激光器触发电路包括储能电容、保护电阻、场效 应管，场效应管的漏极与储能电容的第一端，储能电容的第一端还与保护电阻的第一端相 连，保护电阻的第二端与第一恒流充电电源相连，场效应管的源极接地；储能电容的第二端 与半导体激光器的负极相连，半导体激光器的正极接地； 脉冲电流源电路，输入端与外接的触发脉冲相连...
【技术保护点】
一种半导体激光器脉冲驱动电路，用于产生触发半导体激光器（ＬＤ）发光所需要的脉冲电流，包括半导体激光器触发电路，该半导体激光器触发电路包括储能电容（Ｃ９）、保护电阻（Ｒ１４）、场效应管（Ｑ１），场效应管（Ｑ１）的漏极与储能电容（Ｃ９）的第一端，储能电容（Ｃ９）的第一端还与保护电阻（Ｒ１４）的第一端相连，保护电阻（Ｒ１４）的第二端与第一恒流充电电源（ＶＣＣ↓［１］）相连，场效应管（Ｑ１）的源极接地；储能电容（Ｃ９）的第二端与半导体激光器（ＬＤ）的负极相连，半导体激光器（ＬＤ）的正极接地；脉冲电流源电路，输入端与外接的触发脉冲相连，输出端与场效应管（Ｑ１）的栅极相连，根据输入的触...
【技术特征摘要】
一种半导体激光器脉冲驱动电路，用于产生触发半导体激光器(LD)发光所需要的脉冲电流，包括半导体激光器触发电路，该半导体激光器触发电路包括储能电容(C9)、保护电阻(R14)、场效应管(Q1)，场效应管(Q1)的漏极与储能电容(C9)的第一端，储能电容(C9)的第一端还与保护电阻(R14)的第一端相连，保护电阻(R14)的第二端与第一恒流充电电源(VCC1)相连，场效应管(Q1)的源极接地；储能电容(C9)的第二端与半导体激光器(LD)的负极相连，半导体激光器(LD)的正极接地；脉冲电流源电路，输入端与外接的触发脉冲相连，输出端与场效应管(Q1)的栅极相连，根据输入的触发脉冲来控制场效应管(Q1)的开启与导通；其特征在于所述脉冲电流源电路包括滤波电路，其输入端与第二恒流充电电源(VCC2)相连，用于滤除第二恒流充电电源(VCC2)的高频噪声；微分电路，其输入端与外接的触发脉冲相连，用于将外接的触发脉冲转变称宽度固定的脉冲；电路源电路，包括第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四三极管(Q4)、第五三极管(Q5)、第六三极管(Q6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一电容(C1)，其中第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)的第一端均与滤波电路的输出端相连，第一电阻(R1)、第一电容(C1)的第二端均与第二三极管(Q2)的发射极相连，第二三极管(Q2)的集电极与第三电阻(R3)的第一端相连，第三电阻(R3)的第二端接地；第二三极管(Q2)的基极与第五三极管(Q5)的基极相连，第二电阻(R2)的第一端与滤波电路的输出端相连，第二电阻(R2)的第二端与第五三极管(Q5)的发射极相连，第五三极管(Q5)的集电极与第四电阻(R4)的第一端相连，第四电阻(R4)的第二端与第三三极管(Q3)的集电极相连，第三三极管(Q3)的发射极接地，第三三极管(Q3)的基极与微分电路的输出端相连；第五电阻(R5)的第一端与第二三极管(Q2)的基极相连，第五电阻(R5)的第二端接地；第四三极管(Q4...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨如祥，
申请(专利权)人：宁波振东光电有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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