【技术实现步骤摘要】
本公开涉及气体注射器组件。更具体地，本专利技术涉及用于半导体处理设备的气体注射器组件。
技术介绍
1、随着半导体工业规模的不断扩大，半导体加工和处理工具的改进正与新器件架构的引入保持一致。在这方面，处理性能和处理工具可能对器件性能起重要作用。
2、就处理性能而言，前体可能会发挥重要作用，但也可能会带来处理挑战。将适合于当前过程的合适的一种或多种前体与所需的处理工具相结合可能有助于提高处理性能。
3、对于半导体处理中的大多数过程，热预算可能是重要的考虑之一。除此之外，活化前体所需的处理工具中的合适温度也有助于这些考虑。
4、在使用一种以上前体的过程中，至少一种前体可能需要更长的时间才能在指定的处理温度下完全活化。此外，当需要混合前体时，混合也可能需要在接触衬底表面之前活化一定的热预算。
5、通常通过使用气体注射器将前体提供给处理工具的处理室。然而，目前的气体注射器可能不能完全活化前体。
6、因此，可能需要提供一种用于半导体处理的改进的气体注射器。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、本公开的目的是提供一种用于改善半导体处理设备中的处理性能的气体注射器组件。
3、在第一方面，本公开涉及一种用于向半导体处理设
4、根据本公开第一方面的实施例的气体注射器组件可以允许改善半导体处理设备的处理性能。
5、第一方面的实施例的优点在于，前体的预热可以在暴露于衬底之前实现。
6、第一方面的实施例的优点在于，前体的预热可以在暴露于另一前体之前实现，因此在形成处理气体之前实现。
7、第一方面的实施例的优点在于，需要更长时间暴露于处理温度的前体可以有机会在暴露于衬底之前完全活化。
8、第一方面的实施例的优点在于，需要更长时间暴露于处理温度的前体可以有机会在暴露于另一前体之前且因此在形成处理气体之前完全活化。
9、第一方面的实施例的优点还在于，可以在暴露于衬底之前实现前体的充分混合。
10、第一方面的实施例的另一优点在于，它可以允许将混合前体保持在过程的期望温度。
11、在第二方面，本公开涉及一种用于处理多个衬底的半导体处理设备。半导体处理设备可以包括在竖直方向上纵向延伸的处理室。它还可以包括可容纳在处理室中并用于保持多个衬底的衬底舟。该设备还可以包括处理室内的气体注射器组件，用于将处理气体提供到处理室中。气体注射器组件可以包括气体注射器。气体注射器可以包括用于将处理气体注射到处理室的注射器管。注射器管可以沿着第一轴线在纵向方向上从第一端延伸到第二端。气体注射器可以还包括进料端。进料端可以包括第一前体气体入口和第二前体气体入口，用于向注射器提供第一和第二前体气体以形成处理气体。气体注射器组件还可以包括将第一前体气体入口连接到第一前体气体进口的第一前体气体供应导管和将第二前体气体入口连接到第二前体气体进口的第二前体气体供应导管。从第一前体气体进口延伸到第一前体气体入口的第一前体气体供应导管的尺寸可以大于从第二前体气体进口延伸到第二前体气体入口的第二前体气体供应导管的尺寸。
12、根据本公开第二方面的实施例的半导体处理设备可以允许以改进的处理性能处理衬底。这可能是由于在暴露于衬底之前或暴露于另一前体之前对前体的预热。预热可以允许活化前体。
13、第二方面的实施例的优点在于，由于前体的预热，它可以允许一次处理多个衬底，从而提高了处理能力，由此增加了处理产量。
14、第二方面的实施例的优点在于，由于在处理温度下改进的前体活化，它能够在多个衬底上形成具有更高质量和改进的均匀性的层。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于向半导体处理设备的处理室提供处理气体的气体注射器组件，该气体注射器组件包括：
2.根据权利要求1所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分构造有多个细长部分，所述多个细长部分通过基本弓形部分彼此连接。
3.根据权利要求2所述的气体注射器组件，其中，所述细长部分沿着所述第一轴线在纵向方向上延伸，并且其中，所述至少一部分沿着第二轴线在第一端和第二端之间延伸，第二轴线垂直于第一轴线。
4.根据权利要求2或3所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分是曲折形状的。
5.根据权利要求4所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分是马蹄形曲折。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体入口和第二前体气体入口相对于彼此成180°或更小的角度定位。
7.根据权利要求6所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管或第二前体气体供应导管延伸至所述进料端的中心轴线，所述中心轴线平行于所述第一轴线。
8.
9.根据权利要求1至8中任一项所述的气体注射器组件，其中，用于提供第一前体气体的第一前体气体入口的直径不同于用于提供第二前体气体的第二前体气体入口的直径。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的气体注射器组件，其中，所述注射器管包括用于将处理气体输送到所述处理室中的多个处理气体注射孔，所述孔在纵向方向上彼此间隔开。
11.根据权利要求10所述的气体注射器组件，其中，所述多个处理气体注射孔沿着所述注射器管的高度延伸。
12.根据权利要求10或11所述的气体注射器组件，其中，所述多个处理气体注射孔具有沿着所述第一轴线在纵向方向上从所述第一端到所述第二端增加的间距值。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的气体注射器组件，其中，所述气体注射器还包括混合室，所述混合室包括所述进料端，并通过进料进口直接连接到所述注射器管。
14.根据权利要求13所述的气体注射器组件，其中，所述进料进口位于所述注射器管的第一端附近，或者位于注射器管的第一端和第二端之间。
15.一种用于处理多个衬底的半导体处理设备，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体处理设备，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分与所述处理室的内壁齐平。
17.根据权利要求15或16所述的半导体处理设备，是用于通过执行化学气相沉积(CVD)在多个衬底上形成层的立式炉。
...【技术特征摘要】
1.一种用于向半导体处理设备的处理室提供处理气体的气体注射器组件，该气体注射器组件包括：
2.根据权利要求1所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分构造有多个细长部分，所述多个细长部分通过基本弓形部分彼此连接。
3.根据权利要求2所述的气体注射器组件，其中，所述细长部分沿着所述第一轴线在纵向方向上延伸，并且其中，所述至少一部分沿着第二轴线在第一端和第二端之间延伸，第二轴线垂直于第一轴线。
4.根据权利要求2或3所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分是曲折形状的。
5.根据权利要求4所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管的至少一部分是马蹄形曲折。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体入口和第二前体气体入口相对于彼此成180°或更小的角度定位。
7.根据权利要求6所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体供应导管或第二前体气体供应导管延伸至所述进料端的中心轴线，所述中心轴线平行于所述第一轴线。
8.根据权利要求6所述的气体注射器组件，其中，所述第一前体气体入口和第二前体气体入口相对于彼此成180°的角度定位，并且其中，所述第一前体气体入口和第二前体气体入口彼此面对。
9.根据权利要求1至8中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·G·M·奥斯特拉肯，K·侯本，H·特霍斯特，C·赫布施莱布，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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