【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体涉及衬底处理设备，尤其是室衬里，其有助于在衬底上进行反应室内的表面上的更均匀膜沉积过程。
技术介绍
1、集成电路包括通过各种技术沉积的多层材料，包括化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强cvd(pecvd)和等离子体增强ald(peald)。因此，在半导体衬底上沉积材料是制造集成电路过程中的关键步骤。
2、在衬底表面上执行均匀的处理是重要的，但处理结果经常由于各种原因而变化，例如温度分布、闸阀方向和/或电场强度的不均匀性。期望衬底上均匀性的持续改善。
3、本部分中阐述的任何讨论，包括对问题和解决方案的讨论，已经包括在本公开中，仅仅是为了提供本公开的背景，并且不应被认为是承认任何或所有的讨论在本专利技术被做出时是已知的，或者构成现有技术。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
2、根据本公开的示例性实施例，提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：反应室，其设置有室壁，该室壁包括第一侧壁、与第一侧壁相对设置的第二侧壁、连接到第一侧壁和第二侧壁的底壁；设置在第一侧壁中的闸阀隧道，其配置为由闸阀关闭；设置有顶板和轴的衬底支撑件，该衬底支撑件设置在反应室内并配置为支撑顶板上的衬底，其中衬底支撑件配置为可在处理位置和转移位置之间竖直
3、在各种实施例中，衬里的顶部可以与顶板的顶部基本对齐。
4、在各种实施例中，衬里可以包括以下中的至少一种：陶瓷材料；或者陶瓷涂层材料。
5、在各种实施例中，该设备可以进一步包括经由闸阀连接到反应室的衬底转移室；以及衬底转移机器人，其设置在衬底转移室内，用于通过闸阀隧道在反应室和衬底转移室之间转移衬底。
6、在各种实施例中，该设备可以进一步包括设置在反应室中的气体供应单元，该气体供应单元配置为向衬底供应气体。
7、在各种实施例中，气体供应单元可以包括喷淋头，其设置有用于向衬底供应气体的多个孔。
8、在各种实施例中，喷淋头可以配置成面向衬底支撑件。
9、在各种实施例中，该设备还可以包括电耦合到喷淋头的rf发生器，其中衬底支撑件电接地。
10、在各种实施例中，衬底处理设备可以包括等离子体增强化学气相沉积设备。
11、在各种实施例中，一种处理衬底的方法可以包括：通过闸阀通道将衬底放置在反应室中的衬底支撑件上；用衬里将衬底支撑件移动到处理位置以覆盖闸阀通道，其中衬底支撑件连接到衬里，使得衬里与衬底支撑件同时移动；以及通过施加rf功率在反应室中形成等离子体。
12、通过参考附图对某些实施例的以下详细描述，这些和其他实施例对于本领域技术人员来说将变得显而易见；本专利技术不限于所公开的任何特定实施例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种衬底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬里的顶部与所述顶板的顶部基本对齐。
3.根据权利要求1和2所述的设备，其中，所述衬里包括以下中的至少一种：陶瓷材料；或者陶瓷涂层材料。
4.根据权利要求1和3所述的设备，还包括衬底转移室，其经由所述闸阀连接到所述反应室；以及
5.根据权利要求1和4所述的设备，还包括设置在所述反应室中的气体供应单元，所述气体供应单元配置为向衬底供应气体。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述气体供应单元包括喷淋头，其设置有用于向衬底供应气体的多个孔。
7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述喷淋头配置为面向所述衬底支撑件。
8.根据权利要求7所述的设备，还包括电耦合到所述喷淋头的RF发生器，其中，所述衬底支撑件电接地。
9.根据权利要求1至8所述的设备，其中，所述衬底处理设备包括等离子体增强化学气相沉积设备。
10.一种处理衬底的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述衬里的顶部与所述顶板的顶部基本对齐。
3.根据权利要求1和2所述的设备，其中，所述衬里包括以下中的至少一种：陶瓷材料；或者陶瓷涂层材料。
4.根据权利要求1和3所述的设备，还包括衬底转移室，其经由所述闸阀连接到所述反应室；以及
5.根据权利要求1和4所述的设备，还包括设置在所述反应室中的气体供应单元，所述气体供应单元配置为向衬底供应气体。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊地良幸，杉浦博次，A·雷姆涅夫，相田高永，L·薛，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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