【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计，更具体的说是涉及一种快速响应的ldo电路。
技术介绍
1、在集成电路设计领域中，ldo(低压差线性稳压器)是非常核心的一种芯片。ldo主要用于系统级的电源模块，用于给其他模块提供安全可靠的电源电压。
2、但在传统ldo电路中，负载调整能力有限，不能根据ldo负载的变化及时的做出响应，从而产生上冲或下冲时钟的现象，经过一段时间才能恢复输出值。
3、因此，如何实现ldo电路的快速响应，降低上冲或下冲时钟对ldo电路的影响是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种快速响应的ldo电路，用于解决现有技术中ldo快速响应负载变化的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术公开了一种快速响应的ldo电路中，包括：
4、检测模块：用于检测ldo输出端的下冲变化；
5、反馈控制模块：利用pmos管并根据检测模块检测出的下冲变化快速响应ldo的输出变化。
6、优选的，所述ldo包括，相互连接的误差放大器和反馈电阻电路。
7、优选的，所述ldo中，误差放大器包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第零nmos管、第一nmos管、第二nmos管以及第三nmos管；反馈电阻电路包括依次串联连接的第一反馈取样电阻、第零反馈取样电阻和第六pmos管；
8、其中，
9、所述第零nmos管的栅极与第一nmos管的栅极连接，第零nmos管的源极接地，所述述第二nmos管的栅极与第三nmos管的栅极连接，第二nmos管的源极接地；所述第一nmos管的源极与第三nmos管的源极连接后同时接地，所述第一nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极连接，所述第三nmos管的漏极与所述第五pmos管的漏极连接，第四pmos管的源极与第五pmos管的源极均与供电电压vcc连接，第四pmos管的栅极与第五poms管的栅极相互连接；
10、第一反馈取样电阻远离第零反馈取样电阻的一端同时与误差放大器中第一nmos管的源极、第零nmos管的源极、第二nmos管的源极以及第三nmos管的源极连接；
11、第一反馈取样电阻和第零反馈取样电阻的中间连接端与误差放大器中第三pmos管的栅极连接，第零反馈取样电阻远离第一反馈取样电阻的一端与第六pmos管的漏极连接，第六pmos管的源极与供电电压vcc连接，第六pmos管的栅极同时与误差放大器中第三nmos管的漏极和第五pmos管的漏极连接；所述第零反馈取样电阻和第六pmos管的中间连接端作为ldo输出端。
12、优选的，检测模块用于检测ldo输出端的下冲变化时：
13、所述检测模块包括第八pmos管和第四nmos管，其中，所述ldo输出端与所述第八pmos管的栅极连接，所述第八pmos管的漏极接地，所述第八pmos管的源极与所述第四nmos管的源极连接，所述第四nmos管的漏极与检测模块的供电电流连接；
14、所述反馈控制模块包括第九pmos管，所述第九pmos管的栅极与所述检测模块中第四nmos管的栅极连接，第九pmos管的源极与供电电压vcc连接，第九pmos管的漏极同时与误差放大器中第三nmos管的栅极和第二nmos管的栅极连接。
15、基于相同原理，本专利技术公开了另外一种快速响应的ldo电路，包括：
16、检测模块：用于检测ldo输出端的上冲变化；
17、反馈控制模块：利用pmos管并根据检测模块检测出的上冲变化快速响应ldo的输出变化。
18、优选的，所述ldo包括，相互连接的误差放大器和反馈电阻电路。
19、优选的，所述ldo中，误差放大器包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第零nmos管、第一nmos管、第二nmos管以及第三nmos管；反馈电阻电路包括依次串联连接的第一反馈取样电阻、第零反馈取样电阻和第六pmos管；
20、其中，所述第一pmos管的栅极与电流偏置电压连接，所述第一pmos管的源极与供电电压vcc连接，所述第一pmos管的漏极同时与所述第二pmos管的源极和第三pmos管的源极连接，所述第二pmos管的栅极与基准电压输入端连接，所述第二pmos管的漏极与所述第零nmos管的漏极连接，所述第三pmos管的漏极与所述第二nmos管的漏极连接，所述第三pmos管的栅极与反馈电阻电路连接。
21、所述第零nmos管的栅极与第一nmos管的栅极连接，第零nmos管的源极接地，所述述第二nmos管的栅极与第三nmos管的栅极连接，第二nmos管的源极接地；所述第一nmos管的源极与第三nmos管的源极连接后同时接地，所述第一nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极连接，所述第三nmos管的漏极与所述第五pmos管的漏极连接，第四pmos管的源极与第五pmos管的源极均与供电电压vcc连接，第四pmos管的栅极与第五poms管的栅极相互连接；
22、第一反馈取样电阻远离第零反馈取样电阻的一端同时与误差放大器中第一nmos管的源极、第零nmos管的源极、第二nmos管的源极以及第三nmos管的源极连接；
23、第一反馈取样电阻和第零反馈取样电阻的中间连接端与误差放大器中第三pmos管的栅极连接，第零反馈取样电阻远离第一反馈取样电阻的一端与第六pmos管的漏极连接，第六pmos管的源极与供电电压vcc连接，第六pmos管的栅极同时与误差放大器中第三nmos管的漏极和第五pmos管的漏极连接；所述第零反馈取样电阻和第六pmos管的中间连接端作为ldo输出端。
24、优选的，检测模块用于检测ldo输出端的上冲变化时：
25、所述检测模块包括第八nmos管和第四nmos管，其中，ldo的输出端与所述第八nmos管的栅极连接，所述第八nmos管的源极接地，所述第八nmos管的漏极与所述第四nmos管的源极连接，所述第四nmos管的漏极与检测模块的供电电流连接；
26、所述反馈控制模块包括第九pmos管，所述第九pmos管的栅极与所述检测模块中第四nmos管的栅极连接，第九pmos管的漏极接地，第九pmos管的源极同时与第三nmos管的栅极和第二nmos管的栅极连接。
27、基于相同原理本专利技术还公开了一种快速响应的ldo电路，包括：
28本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种快速响应的LDO电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，所述LDO包括，相互连接的误差放大器和反馈电阻电路。
3.根据权利要求2所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，所述LDO中，误差放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第零NMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及第三NMOS管；反馈电阻电路包括依次串联连接的第一反馈取样电阻、第零反馈取样电阻和第六PMOS管；
4.根据权利要求3所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，检测模块用于检测LDO输出端的下冲变化时：
5.一种快速响应的LDO电路，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，所述LDO包括，相互连接的误差放大器和反馈电阻电路。
7.根据权利要求6所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，所述LDO中，误差放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMO
8.根据权利要求7所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，检测模块用于检测LDO输出端的上冲变化时：
9.一种快速响应的LDO电路，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的一种快速响应的LDO电路，其特征在于，检测模块用于同时检测LDO电路输出端的下冲变化和上冲变化时：
...【技术特征摘要】
1.一种快速响应的ldo电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种快速响应的ldo电路，其特征在于，所述ldo包括，相互连接的误差放大器和反馈电阻电路。
3.根据权利要求2所述的一种快速响应的ldo电路，其特征在于，所述ldo中，误差放大器包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第零nmos管、第一nmos管、第二nmos管以及第三nmos管；反馈电阻电路包括依次串联连接的第一反馈取样电阻、第零反馈取样电阻和第六pmos管；
4.根据权利要求3所述的一种快速响应的ldo电路，其特征在于，检测模块用于检测ldo输出端的下冲变化时：
5.一种快速响应的ldo电路，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的一种快速...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈兵，汤必恕，赵江峰，陈娟，赵贯中，田园农，
申请(专利权)人：深圳安森德半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。