【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种过温检测电路。
技术介绍
1、常规的芯片过温保护技术方案仅考虑整体的绝对温度是否超过限定值，而不能监控内部的功率级器件温度变化的快慢。实际上，如果内部的功率级器件温度快速升高，即使绝对温度不是很高，仍很容易对新盘造成热冲击损伤。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有的缺陷而提供的一种过温检测电路，解决了现有技术中有大功率功率控制模块芯片的热冲击过温检测。
2、实现上述目的的技术方案是：
3、一种过温检测电路，包括：
4、功率控制模块，用于根据控制反馈的报警信号，及时调整功率管的工作状态；
5、基准模块，用于产生比较过温检测的基准电压vref；
6、检测模块，用于对所述功率控制模块温度的检测，并输出指示温度的电压；
7、判断模块，用于对基准电压vref和输出指示温度的电压进行比较；
8、控制模块，用于输出控制信号，并产生报警信号给所述功率控制模块。
9、优选的，所述功率控制模块包括x路功率电路，
10、所述x路功率电路包括第一输入电压端和多路第一功率管，每路有多个所述第一功率管，所述第一输入电压端分别连接每路第一个所述第一功率管的漏极，第一个至倒数第二个所述第一功率管的源极分别连接下一个所述第一功率管的漏极，最后一个所述第一功率管的源极接地，所述控制模块连接每个所述第一功率管的栅极。
11、优选的，所述功率控制模块还包括y路功率电路，p>
12、所述y路功率电路包括第二输入电压端和多路第二功率管，每路有多个所述第二功率管，所述第二输入电压端分别连接每路第一个所述第二功率管的漏极，第一个至倒数第二个所述第二功率管的源极分别连接下一个所述第二功率管的漏极，最后一个所述第二功率管的源极接地，所述控制模块连接每个所述第二功率管的栅极。
13、优选的，所述基准模块包括：第一工作电压端，所述第一工作电压端连接第一电流源；
14、所述第一电流源连接第一nmos管的漏极和栅极，所述第一nmos管的源极接地；
15、所述第一工作电压端依次串联四个第一三极管，所述第一工作电压端连接第一个所述第一三极管的发射极，每个所述第一三极管的基极连接各自的集电极，最后一个所述第一三极管的集电极分别连接第二nmos管的漏极和所述判断模块；
16、所述第一nmos管的栅极连接所述第二nmos管的栅极，所述第二nmos管的源极接地。
17、优选的，所述检测模块包括x路检测电路，
18、所述x路检测电路包括：第二工作电压端，
19、所述第二工作电压端连接第二电流源；
20、所述第二电流源连接第三nmos管的漏极和栅极，所述第三nmos管的源极接地；
21、所述第二工作电压端还依次连接多路第一分区功率电路；
22、每路所述第一分区功率电路均分别连接第四nmos管的漏极和所述判断模块；
23、所述第三nmos管的栅极连接所述第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的源极接地。
24、优选的，所述检测模块还包括y路检测电路，
25、所述y路检测电路包括：第三工作电压端，
26、所述第三工作电压端连接第三电流源；
27、所述第三电流源连接第五nmos管的漏极和栅极，所述第五nmos管的源极接地；
28、所述第三工作电压端还依次连接多路第二分区功率电路；
29、每路所述第二分区功率电路均分别连接第六nmos管的漏极和所述判断模块；
30、所述第五nmos管的栅极连接所述第六nmos管的栅极，所述第六nmos管的源极接地。
31、优选的，所述第一分区功率电路包括四个串联的第二三极管，所述第二工作电压端连接第一个所述第二三极管的发射极，每个所述第二三极管的基极连接各自的集电极，最后一个所述第二三极管的集电极通过第一开关分别连接第四nmos管的漏极和所述判断模块；
32、所述第二分区功率电路包括四个串联的第三三极管，所述第三工作电压端连接第一个所述第三三极管的发射极，每个所述第三三极管的基极连接各自的集电极，最后一个所述第三三极管的集电极通过第二开关分别连接第六nmos管的漏极和所述判断模块。
33、优选的，所述判断模块包括：比较器，所述基准模块中最后一个串联的所述第一三极管的集电极连接所述比较器的负输入端；所述检测模块中第一分区功率电路和第二分区功率电路连接所述比较器的正输入端，所述比较器的输出端连接所述控制模块。
34、优选的，所述基准模块包括：第四工作电压端，所述第四工作电压端依次串联第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第三电阻另一端接地，所述第一电阻另一端还连接所述比较器的负输入端，所述第二电阻另一端还通过第五电阻连接所述比较器的正输入端。
35、优选的，所述检测模块包括：第五工作电压端和高额电压端，所述第五工作电压端分别连接第一mos管的源极和第一二极管的阴极，所述第一mos管的漏极通过第三开关连接所述第一二极管的阳极，所述第一mos管的漏极分别连接第二mos管的漏极和第二二极管的阴极，所述第二mos管的源极接地，所述第二mos管的源极还连接所述第二二极管的阳极，所述高额电压端连接第六电阻，所述第六电阻通过第四开关连接所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阳极通过第五开关连接第四电阻，所述第四电阻另一端分别连接所述第五电阻和比较器的正输入端。
36、 本专利技术的有益效果是：本专利技术将功率控制模块中的功率管通过x、y轴进行排列，分开检测，提高检测效率，通过将基准电压vref和输出的检测电压vdet一起输出到判断模块，通过比较器进行比较，当功率控制模块区域的第一功率管或第二功率管正常，则vdet<vref, temp_alarm =0，不报警；当功率控制模块区域的第一功率管或第二功率管升温太高，vdet>vref, temp_alarm =1，报警，报警信号输出到控制模块，控制模块反馈到功率控制模块，进而对相对区域的第一功率管或第二功率管进行调整；解决了现有技术中有大功率功率控制模块芯片的热冲击过温检测；本专利技术还通过第一二极管和第二二极管的温度特性，在第一mos管和第二mos管工作期间，存在一个阶段第一mos管和第二mos管都关闭，通过第三开关断开，第四开关闭合，第一mos管的sub电位vsub1连接到第六电阻，第六电阻另外一段连接高额电压端，高额电压端比第五工作电压端电压高，由于第一二极管的导通，通过实时检测该阶段的输出的电压，就能判断过温特性，第四电阻r4通过第五开关s5连接第一mos管m1的sub电位，检测的时候，第一mos管m1和第二mos管m2都是截止的，当前续流方向从out通过第一二极管d1流向第五工作电压端vdd5，通过第三电阻r3和第四电阻r4连接到基准电阻分压第一电阻r1和第二电阻r2分压处，输出基准电压vr本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种过温检测电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述功率控制模块包括x路功率电路，
3.根据权利要求2所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述功率控制模块还包括y路功率电路，
4.根据权利要求1所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述基准模块包括：第一工作电压端（VDD1），所述第一工作电压端（VDD1）连接第一电流源（Iref）；
5.根据权利要求4所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述检测模块包括x路检测电路，
6.根据权利要求5所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述检测模块还包括y路检测电路，
7.根据权利要求6所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述第一分区功率电路包括四个串联的第二三极管（Q2），所述第二工作电压端（VDD2）连接第一个所述第二三极管（Q2）的发射极，每个所述第二三极管（Q2）的基极连接各自的集电极，最后一个所述第二三极管（Q2）的集电极通过第一开关（S1）分别连接第四NMOS管（NM4）的漏极和所述判断模块；
8.根据
9.根据权利要求8所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述基准模块包括：第四工作电压端（VDD4），所述第四工作电压端（VDD4）依次串联第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（R3），所述第三电阻（R3）另一端接地，所述第一电阻（R1）另一端还连接所述比较器（CMP1）的负输入端，所述第二电阻（R2）另一端还通过第五电阻（R5）连接所述比较器（CMP1）的正输入端。
10.根据权利要求9所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述检测模块包括：第五工作电压端（VDD5）和高额电压端（VBST），所述第五工作电压端（VDD5）分别连接第一MOS管（M1）的源极和第一二极管（D1）的阴极，所述第一MOS管（M1）的漏极通过第三开关（S3）连接所述第一二极管（D1）的阳极，所述第一MOS管（M1）的漏极分别连接第二MOS管（M2）的漏极和第二二极管（D2）的阴极，所述第二MOS管（M2）的源极接地，所述第二MOS管（M2）的源极还连接所述第二二极管（D2）的阳极，所述高额电压端（VBST）连接第六电阻（R6），所述第六电阻（R6）通过第四开关（S4）连接所述第一二极管（D1）的阳极，所述第一二极管（D1）的阳极通过第五开关（S5）连接第四电阻（R4），所述第四电阻（R4）另一端分别连接所述第五电阻（R5）和比较器（CMP1）的正输入端。
...【技术特征摘要】
1.一种过温检测电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述功率控制模块包括x路功率电路，
3.根据权利要求2所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述功率控制模块还包括y路功率电路，
4.根据权利要求1所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述基准模块包括：第一工作电压端（vdd1），所述第一工作电压端（vdd1）连接第一电流源（iref）；
5.根据权利要求4所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述检测模块包括x路检测电路，
6.根据权利要求5所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述检测模块还包括y路检测电路，
7.根据权利要求6所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述第一分区功率电路包括四个串联的第二三极管（q2），所述第二工作电压端（vdd2）连接第一个所述第二三极管（q2）的发射极，每个所述第二三极管（q2）的基极连接各自的集电极，最后一个所述第二三极管（q2）的集电极通过第一开关（s1）分别连接第四nmos管（nm4）的漏极和所述判断模块；
8.根据权利要求6所述的一种过温检测电路，其特征在于，所述判断模块包括：比较器（cmp1），所述基准模块中最后一个串联的所述第一三极管（q1）的集电极连接所述比较器（cmp1）的负输入端；所述检测模块中第一分区功率电路和第二分区功率电路连接所述比较器（cmp...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵江峰，陈兵，田园农，王义辉，赵贯中，
申请(专利权)人：深圳安森德半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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