【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及极紫外光刻,特别涉及一种极紫外光源收集镜的制备方法及加工设备。
技术介绍
1、极紫外光刻(euvl)技术是半导体领域实现7nm以下节点的大规模量产和工业化不可或缺的光刻技术,euv光刻机是工艺制程延续发展的保障。euv光源系统作为euv光刻机最为核心的分系统,应具有较高的输出功率和转换效率,满足为曝光系统提供高纯度13.5nm极紫外光的功能。euv光源收集镜是euv光源系统中最重要的光学元件,在光源的收集效率和稳定性方面有着决定性的作用。
2、在euv光源系统中,光源收集镜的种类由euv光源的产生方式决定。激光等离子体(lpp)光源和放电等离子体(dpp)光源是最主流的两种光源。对于dpp光源来说,在发射极紫外光的同时会产生大量的碎屑随极紫外光的出射而发出,为避免这些碎屑撞击到极紫外光刻照明系统及投影系统的反射镜上形成污染而影响系统的使用寿命,dpp光源系统采用掠入射式收集镜并配有消碎屑系统,但很大程度上限制了对极紫外光的收集效率。
3、激光等离子体光源系统采用高强度激光器轰击液体微滴获得极紫外光,
...【技术保护点】
1.一种极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,步骤6具体包括:
3.根据权利要求2所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,Step04具体为:将收集镜定位并装夹在曝光设备上,通过控制曝光设备的激光器与装夹收集镜的轴进行联动,使激光焦斑在光刻胶表面进行精确扫描,获得设计所需的光栅图案。
4.根据权利要求2所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,在Step09之后,如需制作二进制光栅结构,则重复步骤:Step02-Step09。
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...【技术特征摘要】
1.一种极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,步骤6具体包括:
3.根据权利要求2所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,step04具体为:将收集镜定位并装夹在曝光设备上,通过控制曝光设备的激光器与装夹收集镜的轴进行联动,使激光焦斑在光刻胶表面进行精确扫描,获得设计所需的光栅图案。
4.根据权利要求2所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,在step09之后,如需制作二进制光栅结构,则重复步骤:step02-step09。
5.根据权利要求1所述的极紫外光源收集镜的制备方法,其特征在于,步骤7具体包括:使用白光干涉仪对收集镜的光栅的尺寸精度进行检测,使用原子力显微镜等对光栅的不同位置的粗糙度进行检测,粗糙...
【专利技术属性】
技术研发人员:张志宇,王晨,徐凯,胡海翔,张学军,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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