一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光学系统设计技术领域，尤其涉及一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置。沿光路方向依次包括孔径光阑、薄膜滤光片、平面多层膜反射镜、球面多层膜反射镜和探测器；EUV光源发出的宽谱段辐射首先通过孔径光阑后，入射到薄膜滤光片，透过薄膜滤光片的EUV光束，以5°至10°的入射角照射到平面多层膜反射镜上，对入射光束进行窄带滤波；平面多层膜反射镜的反射光束，以5°至10°的入射角入射到球面多层膜反射镜，对光束进行聚焦缩束和光斑整形；经过滤波和缩束的EUV辐射被位于光路末端的探测器接收。优点在于：实现13.5nm±1%的带通滤光和光斑尺寸缩小，布局紧凑，显著提升能量测量精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学系统设计，尤其涉及一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置。

技术介绍

1、极紫外光刻技术是推动半导体制造进入7nm及以下先进节点的核心技术。euv光刻机作为其载体，集成了光学、机械、真空、控制等尖端技术，代表了工业装备的最高水平。在euv光刻机的研发、调试、运行及维护全过程中，对其核心光源（如lpp或dpp光源）的性能进行实时、精确监测至关重要，核心参数包括脉冲能量、能量稳定性、空间强度分布均匀性以及光谱纯度。euv能量监测装置正是实现这一功能的核心装备，对保障光刻机性能和工艺良率具有不可替代的作用。

2、目前，市场上较为成熟且广泛应用的euv能量监测装置是e-mon型能量监测装置，该装置依赖光谱选择系统和能量探测器，采用滤光片结合两片平面多层膜反射镜的光路设计，使用基于硅（si）基材料的euv敏感光电二极管；核心功能是从宽谱段的euv光源辐射中，选择性地滤除带外辐射（非13.5 nm波长的辐射），并精确测量特定立体角内、中心波长为13.5 nm（带宽约2%）的euv辐射脉冲能量。实现对中心波长13.5nm、带宽2%的e本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：沿光路方向依次包括孔径光阑、薄膜滤光片、平面多层膜反射镜、球面多层膜反射镜和探测器；

2.根据权利要求1所述的一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：所述孔径光阑的孔径大小可调，孔径大小为2mm~8mm；所述EUV光刻机光源发出的宽谱段辐射为波长大于1nm的极紫外、远紫外、紫外、可见及红外的长波辐射。

3.根据权利要求1所述的一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：所述薄膜滤光片为厚度为100nm~200nm的锆膜或铍膜，用于对宽谱段的EUV光源进行滤波，以及使13....

【技术特征摘要】

1.一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：沿光路方向依次包括孔径光阑、薄膜滤光片、平面多层膜反射镜、球面多层膜反射镜和探测器；

2.根据权利要求1所述的一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：所述孔径光阑的孔径大小可调，孔径大小为2mm~8mm；所述euv光刻机光源发出的宽谱段辐射为波长大于1nm的极紫外、远紫外、紫外、可见及红外的长波辐射。

3.根据权利要求1所述的一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：所述薄膜滤光片为厚度为100nm~200nm的锆膜或铍膜，用于对宽谱段的euv光源进行滤波，以及使13.5nm附近的euv辐射透过。

4.根据权利要求3所述的一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：所述薄膜滤光片为厚度为100nm的锆膜。

5.根据权利要求1所述的一种改进型13.5nm极紫外光源能量监测装置，其特征在于：所述平面多...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎大兵，邢妍，蒋科，孙晓娟，来搏，王炳翔，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：