【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制造，尤其涉及一种基于2d重叠判断的光刻热点检测方法。
技术介绍
1、芯片制造过程的缺陷是影响芯片良率的重要因素，根据成因，其通常可分为系统性缺陷和非系统性缺陷。其中系统性缺陷通常由光刻、蚀刻、化学机械研磨等工艺引入，且与版图密切相关。为了避免光刻热点，在掩模合成前通过设计规则检查(drc)和光学接近校正(opc)对物理布局进行验证。
2、在先进的集成电路制造中，随着亚波长光刻间隙的增大，光刻热点会引起金属或多线段上的开路或两线之间的短路，从而破坏电路的功能。因此，光刻热点检测问题得到了广泛的研究，并提出了许多技术。
3、现有技术主要分为以下几类：光刻仿真、精确版图图形匹配、基于机器学习的版图图形匹配。
4、其中，光刻仿真精度最高，但计算复杂，运行时间长，在物理验证阶段，很难在合理的周转时间内分析全芯片布局；如果测试模式与预定义的热点图形完全匹配，则精确版图图形匹配是最快和准确的，但是如果测试模式与预定义的热点图形部分不同，则不能很好地识别；对应精准匹配的方法，检测热点等模式称为模糊...
【技术保护点】
1.一种基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，所述基于预设分解方法对所述正交多边形进行矩形分解的步骤，包括以下子步骤：
3.根据权利要求2所述的基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，根据芯片2D版图中划分出来的所述正交多边形，划分出多个匹配区域的步骤，具体为：
4.根据权利要求3所述的基于2D重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，基于预设匹配规则，在每一所述匹配区域中，将所述正交多边形与所述精确区域和/或所述模糊区域进行匹配...
【技术特征摘要】
1.一种基于2d重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于2d重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，所述基于预设分解方法对所述正交多边形进行矩形分解的步骤，包括以下子步骤：
3.根据权利要求2所述的基于2d重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，根据芯片2d版图中划分出来的所述正交多边形，划分出多个匹配区域的步骤，具体为：
4.根据权利要求3所述的基于2d重叠判断的光刻热点检测方法，其特征在于，基于预设匹配规则，在每一所述匹配区域中，将所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王孙康宏，魏丽军，蒋宇帆，何悦，舒文兰，刘强，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：
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