【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种压力传感器，特别是一种扩散硅表压隔爆型压力传感器。
技术介绍
扩散硅压力传感器是利用单晶硅的压阻效应即材料的电阻率随外加压力变化而改变的原理制成的。扩散硅压力传感器具有精度高、工作可靠、频率响应高、迟滞小、只寸小、重量轻、结构简单等优点，可以在恶劣的条件下工作，便于实现数字化。它不仅用来测量压力，稍加改变就可以用来测量差压、高度、速度、加速度等数据。 扩散硅表压压力传感器由于参考压力是当地大气压，因而在传感器的背面有一个小孔。小孔直通传感器内部的扩散硅压力芯片，造成该类传感器在爆炸性危险场合具有较大的局限性，只能做成本质安全性的防爆产品，造成使用成本过高，安装麻烦等缺点。而简单易行具有低成本、精度高、稳定性好等优点的隔爆类的扩散硅表压隔爆传感器一直是一个困扰行业的难题。因此，开发这种新型压力传感器具有非常重要的现实意义。
技术实现思路
本专利技术提供一种扩散硅表压隔爆型压力传感器，采用粉末冶金的技术，在传感器的背面人为造成一个灭弧腔，即符合隔爆产品的要求，又满足传感器将当地大气压作为参考压力的要求。 本专利技术具体采用如下技术方案 —种扩散硅表压...
【技术保护点】
一种扩散硅表压隔爆型压力传感器，包括壳体，壳体内焊接有硅压力传感器，壳体一端具有通孔，另一端露出硅压力传感器管脚，其特征是，壳体内的中孔中塞有粉末冶金和灌封胶，粉末冶金和传感器之间设置Ｏ型圈。
【技术特征摘要】
一种扩散硅表压隔爆型压力传感器，包括壳体，壳体内焊接有硅压力传感器，壳体一端具有通孔，另一端露出硅压力传感器管脚，其特征是，壳体内的中孔中塞有粉末冶金和灌封胶，粉末冶金和传感器之间设置O型圈。2. 根据权利要求1所述的扩散硅表压隔爆型压力传感器，其特征是，所述壳体的材质是1Crl8Ni9Ti。3. 根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹庆伟，傅师杰，
申请(专利权)人：山东佰测仪表有限公司，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]
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