一种新型压阻式压力传感器及其制备方法技术

本发明专利技术新型压阻式压力传感器，包括内引线、封装外套、外引线、引线孔、衬底和压敏电阻，在所述衬底上设置有闭合框结构压敏电阻和条状压敏电阻，所述四个压敏电阻形成惠斯通全桥互连结构，在所述引线孔中溅射有铝合金，在所述闭合框压敏电阻的表面设置有电子玻璃质量块。其制备方法，按照下述步骤进行：（１）掺杂；（２）表面热氧化；（３）光刻蚀和等离子刻蚀技术加工；（４）光刻引线孔；（５）溅射铝合金；（６）静电封接电子玻璃质量块；（７）测试，封装。本发明专利技术的技术方案使制作工艺大为简化，并与ＣＭＯＳ集成电路平面工艺兼容，具有较高的谐振频率，能在高温环境中工作，产品性能的一致性得到保证。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种压力传感器及其制备方法，更确切地说，涉及一种利用SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上硅)材料制作的无膜压阻式压力传感器及其制备方法。
技术介绍
人类已进入信息时代，传感器作为各类信息的采集装置其重要性不言而喻。而微电子和微机械加工技术的迅猛发展更是极大地推动了传感器技术的进步，并大大扩展了传感器的应用范围。作为最重要的一类微电子机械系统(MEMS)产品，半导体压力传感器广泛应用于工业自动化、航空航天、石油测井、汽车发动机等诸多领域。目前，压阻式压力传感器多采用硅杯结构，在压力作用下传感器应力膜发生弹性形变，通过压敏电阻的变化感知，并进而获得输出。但是硅杯结构也存在如下问题(1)由于应力膜片的质量轻，造成传感器的响应速度低，谐振频率通常只在千赫兹左右，限制了传感器的应用；(2)由于大尺寸衬底材料厚度的不均匀性和表面光滑度的限制，利用各向异性腐蚀工艺刻蚀工艺制备的硅杯很难实现不同传感器应力膜厚度的一致性，而应力膜的质量是决定传感器诸多特性的关键因素，从而造成传感器间性能差异较大；(3)深度各向异性腐蚀工艺难以与互补金属氧化物半导体(CMOS)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型压阻式压力传感器，包括内引线［１］、封装外套［２］、外引线［３］、引线孔［１３］、衬底和压敏电阻，其特征在于，在所述衬底上设置有闭合框结构压敏电阻［９］、［１０］和条状压敏电阻［１１］、［１２］，所述四个压敏电阻形成惠斯通全桥互连结构，在所述引线孔中溅射有铝，在所述闭合框压敏电阻的顶部设置有电子玻璃质量块［４］。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张为，李丹，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]