新型硅压力传感器制造技术

技术编号:2562842 阅读:182 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种新型硅压力传感器,其壳体(1)内制有硅油腔(2),硅油腔(2)中填充有硅油,硅油腔(2)的下端面通过不锈钢膜片(3)密封,硅油腔(2)的上端面固定有硅片(4),硅片(4)上连接有引线(5),且硅片(4)位于硅油腔(2)中。本实用新型专利技术使被测介质直接作用在不锈钢膜片上,通过膜片受力变形,再由硅油传递到硅片,使其发生形变,进而压阻发生变化,电桥R失去平衡输出电压信号,大大提高了硅压力传感器的使用领域及范围,能够监测、控制各领域流体、气体,且结构简单,性能可靠。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型硅压力传感器,包括壳体(1),其特征是:壳体(1)内制有硅油腔(2),硅油腔(2)中填充有硅油,硅油腔(2)的下端面通过不锈钢膜片(3)密封,硅油腔(2)的上端面固定有硅片(4),硅片(4)上连接有引线(5),且硅片(4)位于硅油腔(2)中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄新华
申请(专利权)人:宝鸡恒通电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:61[中国|陕西]

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