高压ＶＤＭＯＳ器件结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出的高压ＶＤＭＯＳ器件结构在原有的ＶＤＭＯＳ器件上增加栅极电阻，从而增强ＶＤＭＯＳ器件的栅极抗电流冲击能力，大大增加对ＶＤＭＯＳ器件栅极的保护，该器件结构简单，简化设计复杂度。同时本发明专利技术提出的高压ＶＤＭＯＳ器件的制造方法可以在原有的工艺基础上实现，不需要改动工艺，制造简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件结构和制造方法，尤其涉及高压VDMOS器件结构及其制造 方法。
技术介绍
高压VDMOS器件作为功率半导体器件，由若干VDMOS管(即VDMOS元胞)相互并联 组成，其等效电路图如图1所示，图中的M1、M1、M3、M4、……、Mn分别代表各并联的VDMOS 元胞；rll、rl2、rl3、rl4、……、rln分别代表各并联VDMOS元胞对应的等效栅极电阻；Cl、 C2、C3、C4、……、Cn分别代表各并联VDMOS元胞对应的等效栅极电容。一般高压VDMOS的栅极压点(G-PAD)结构示意图如图2所示，其中氧化层上的铝 层作为栅极压点；通常栅极氧化层上不会有多晶硅层。高压VDMOS器件的各VDMOS元胞同栅极压点(G-PAD)的一种连接方式如图3 (a) 所示，各VDMOS元胞的栅极采用多晶硅(G-POLY)，图中的各条多晶硅本身并不直接相连，而 是分别在栅极多晶硅两端都打有一定大小的接触孔，多晶硅通过接触孔与上面的铝条相连 接，而铝条的两端则同图2所示的栅极压点(G-PAD)相连，这样，当栅极信号到达器件的栅 极压点(G-PAD)后，就通过铝条将信号传导到每一本文档来自技高网...

【技术保护点】
高压ＶＤＭＯＳ器件结构，其特征在于包括栅极压点与各ＶＤＭＯＳ元胞：其中，所述栅极压点依次包括外延层、Ｐ型掺杂层、绝缘氧化层、多晶硅层、铝层。多晶硅两端连接铝，一端的铝作为栅极压点，另一端的铝则与所述各ＶＤＭＯＳ元胞中的栅极相连接。

【技术特征摘要】
高压VDMOS器件结构，其特征在于包括栅极压点与各VDMOS元胞其中，所述栅极压点依次包括外延层、P型掺杂层、绝缘氧化层、多晶硅层、铝层。多晶硅两端连接铝，一端的铝作为栅极压点，另一端的铝则与所述各VDMOS元胞中的栅极相连接。2.高压VDMOS器件的制作方法，其特征在于包括如下步骤(1)在外延层上，用光刻胶打开注入窗口，注入P型掺杂层；(2)在P型掺杂层层上生长一定厚度的绝缘氧化层；(3)对有源区进行刻蚀，离子注入，褪火；(4)在有源区上完成栅极氧化层的生长；(5)在绝缘氧化层和有源区的栅氧上进行多晶硅淀积；(6)对绝缘氧化层上的多晶硅和有源区的栅氧上的多晶硅进行刻蚀，在绝缘氧化层上 的多晶硅被刻蚀后的图形为一块具有一定长宽比的图形，作为一个多晶硅电阻Rg，而有源 区内保留的多晶硅作为VDMOS元胞的栅极；(7)在有源区内进行N型及P型杂质注入；(8)对绝缘氧化层上刻蚀后的多晶硅两端进行接触孔的刻蚀，；对有源区内各条多晶硅 端头进行栅极接触孔的刻蚀，同时对各条栅极多晶硅之间的区域进行接触孔的刻蚀，作为 各个VDMOS元胞的源极接触孔，；(9)在绝缘氧化层和有源区上淀积铝层；(10)对在绝缘氧化层和有源区上的铝层进行刻蚀。3.高压VDMOS器件结构，其特征在于包括栅极压点、各VDMOS元胞、具有一定长宽比的 各多晶硅电阻r2n，所述每个具有一定长宽比的多晶硅电阻r2n的一端连接于对应的VDMOS元胞中的栅极，另一端则由铝条通过接触孔连接所述栅极压点，η = 1,2,3,......，分别代表第η个VDMOS元胞。4.如权利要求3所述高压VDMOS器件结构，其特征在于所述的多晶硅电阻r2n设计为 直线、折线或曲线，以增加电阻r2n的阻值。5.高压VDMOS器件的制作方法包括如下步骤(1)在外延层上注入P型掺杂层；(2)在P型掺杂层上生长一层一定厚度的绝缘氧化层；(3)对有源区进行刻蚀，离子注入，褪火；(4)在有源区上完成栅氧生长；(5)在绝缘氧化层和有源区的栅氧上进行多晶硅淀积；(6)对绝缘氧化层上的多晶硅和有源区的栅氧上的多晶硅进行刻蚀，刻蚀后在绝缘氧 化层上的多晶硅已经全部被刻蚀，而...

【专利技术属性】
技术研发人员：张邵华，李敏，张凤爽，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]