一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明专利技术采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明专利技术还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种半导体场效应晶体管及其制 造方法，特别涉及一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管(U-LDVMOS)及其制造 方法。
技术介绍
随着微电子技术的不断发展，功率MOS晶体管以其输入阻抗高、低损耗、开关速度 快、无二次击穿、安全工作区宽、动态性能好、易与前极耦合实现大电流化、转换效率高等优 点，逐渐替代双极型器件成为当今功率器件发展的主流。功率器件目前主要有沟槽型MOS 晶体管(UM0SFET)、横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寸。图Ia为现有技术的一种LDMOS结构，该LDMOS包括ρ型衬底区101、η型外延层 102、η型漂移区103、ρ型掺杂阱104。η型源区106和η型漏区107分别形成于ρ型掺杂 阱104和η型漂移区103之中。高掺杂浓度的ρ型掺杂区105将ρ型掺杂阱104引出到半 导体衬底顶部。栅氧化层108和多晶硅栅极109形成于η型漂移区103之上且位于源区 106和漏区107之间。与传统的晶体管相比，LDMOS具有更加优越的热稳定性、频率稳定性、 更高的增益、更低的噪音和更低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管，其特征在于包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底底部的具有第二种掺杂类型的漏区；位于所述半导体衬底内的凹槽结构；覆盖在所述凹槽之内的栅区；位于所述半导体衬底内所述栅区的一侧的具有第二种掺杂类型的源区；位于所述源区之上的具有第一种掺杂类型的掺杂区；位于所述半导体衬底内所述栅区的非源区侧形成的具有第二种掺杂类型的漂移区；所述漂移区穿过衬底与漏区相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：臧松干，王鹏飞，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]