【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表其存储的一个二进制比特是1还是0。
2、3d dram是一种堆叠多层存储单元的一种结构，其集成度较高，单位面积上的容量更大，从而有利于降低单位面积的成本。然而3d dram的性能还有待提升。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构，至少有利于提高半导体结构的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：衬底，所述阵列区的所述衬底内具有晶体管组，所述晶体管组包括在第一方向排列的多层晶体管；所述晶体管包括字线、第二源漏极和两个第一源漏极，所述字线与所述第二源漏极在第二方向排布，两个第一源漏极在所述第一方向上排列，并位于所述字线的相对两侧；在所述第一方向上，相邻两个所述晶体管共用一个所述第一源漏极；所述外围区内具有子字线驱动器，所述字线与所述子字线驱动器电连接，所述子字线驱动器不同时为所述第一方向上相邻两条所述字线提供开启信号。
3、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：晶体管的两个第一源漏极在第一方向上排列，并位于字线的相对两侧。在第一方向上，相邻两个所述晶体管共用一个第一源漏极。也就是说，在晶体管开启时可以形成上下两个沟道，从而有利于提高晶体管的电性能。此外，相邻两条字线不
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1.一种半导体结构，所述半导体结构包括阵列区和外围区，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括在所述第一方向上交替排列的第一字线和第二字线，其中，多条所述第一字线分别与不同的所述子字线驱动器电连接，多条所述第二字线连接同一常关信号源。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述子字线驱动器分别位于所述阵列区在所述第三方向排列的相对两侧；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述阵列区包括存储区和两个台阶区，两个所述台阶区在所述第三方向上排布且位于所述存储区的相对两侧；
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内具有在所述第二方向交替排列的第一沟槽和第二沟槽，且二者的深度方向均为所述第一方向；
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管组为多个，且多个所述晶体管组在所述衬底内阵列排布；
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一沟槽在第
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，多个所述感测放大器分别位于所述阵列区在所述第二方向排列的相对两侧；
10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三沟槽，所述第三沟槽在第三方向上与所述第二沟槽交替设置；
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，还包括：介质层和电容极板，所述介质层位于所述第一沟槽相对的两个侧壁；
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述极板连接线包括相连的第一极板连接线和多条第二极板连接线，其中，所述第一极板连接线在所述第二方向上延伸，所述第二极板连接线在所述第三方向上延伸；所述第二极板连接线与多个所述电容极板电连接；
13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第三沟槽包括在所述第一方向上排列的多个第三子沟槽；
14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，
15.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第一子沟槽的交界处具有背向所述第一沟槽凸出的孔洞；
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，所述半导体结构包括阵列区和外围区，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括在所述第一方向上交替排列的第一字线和第二字线，其中，多条所述第一字线分别与不同的所述子字线驱动器电连接，多条所述第二字线连接同一常关信号源。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，多个所述子字线驱动器分别位于所述阵列区在所述第三方向排列的相对两侧；
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述阵列区包括存储区和两个台阶区，两个所述台阶区在所述第三方向上排布且位于所述存储区的相对两侧；
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内具有在所述第二方向交替排列的第一沟槽和第二沟槽，且二者的深度方向均为所述第一方向；
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管组为多个，且多个所述晶体管组在所述衬底内阵列排布；
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一沟槽在第三方向...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩清华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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