【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于显示，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。
技术介绍
1、有机薄膜晶体管(organic thin film transistor，otft)具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点，在手机、平板电脑、数码相机等显示领域的应用前景广阔，受到越来越多的关注。
技术实现思路
1、以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底以及设置在所述衬底一侧的有源层、栅绝缘层和栅电极；其中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅绝缘层和所述栅电极之间的抑制层，所述抑制层在所述衬底上的正投影包含所述栅电极在所述衬底上的正投影，所述抑制层设置为抑制载流子从所述栅绝缘层向所述栅电极方向迁移。
3、在一些示例性实施例中，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影包含所述抑制层在所述衬底上的正投影。
4、在一些示例性实施例中，所述有源层在所述衬底上的正投影包含所述抑制层在所述衬底上的正投影。
5、在一些示例性实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层与所述衬底之间的源电极和漏电极，所述栅电极在所述衬底上的正投影与所述源电极在所述衬底上的正投影部分交叠，且所述栅电极在所述衬底上的正投影与所述漏电极在所述衬底上的正投影部分交叠。
6、在一些示例性实施例中，所述抑制层在所述衬底上的正投影的面积不小于所述栅电极在所述衬底上的正投影的面积，和/或，所述
7、在一些示例性实施例中，所述抑制层的材料的功函数大于或等于3ev(电子伏特)。
8、在一些示例性实施例中，所述抑制层的材料为氧化钼或者氧化锌。
9、在一些示例性实施例中，所述抑制层的厚度为20nm(纳米)至100nm。
10、第二方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：上述示例性实施例中任一项所述的薄膜晶体管。
11、第三方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括：上述示例性实施例中任一项所述的显示基板。
12、本公开实施例提供的薄膜晶体管、显示基板及显示装置，通过在薄膜晶体管的栅电极和栅绝缘层之间设置抑制层，来实现抑制载流子从栅绝缘层向栅电极方向迁移。如此，抑制层可以作为一道载流子流向栅电极的势垒，抑制栅电极漏电流的形成，从而，解决了薄膜晶体管的在栅电极副偏压下工作时所伴随的栅电极漏电问题，降低了薄膜晶体管的能耗，保证了薄膜晶体管的质量和性能。
13、本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
14、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底一侧的有源层、栅绝缘层和栅电极；其中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅绝缘层和所述栅电极之间的抑制层，所述抑制层在所述衬底上的正投影包含所述栅电极在所述衬底上的正投影，所述抑制层设置为抑制载流子从所述栅绝缘层向所述栅电极方向迁移。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影包含所述抑制层在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影包含所述抑制层在所述衬底上的正投影。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层与所述衬底之间的源电极和漏电极，所述栅电极在所述衬底上的正投影与所述源电极在所述衬底上的正投影部分交叠，且所述栅电极在所述衬底上的正投影与所述漏电极在所述衬底上的正投影部分交叠。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抑制层在所述衬底上的正投影的面积不小于所述栅电极在所述衬底上的正投影的面积，和/或，所述栅绝缘层在所述
6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抑制层的材料的功函数大于或等于3eV。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抑制层的材料为氧化钼或者氧化锌。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抑制层的厚度为20nm至100nm。
9.一种显示基板，其特征在于，包括：如权利要求1至8中任一项所述的薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求9所述的显示基板。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底一侧的有源层、栅绝缘层和栅电极；其中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅绝缘层和所述栅电极之间的抑制层，所述抑制层在所述衬底上的正投影包含所述栅电极在所述衬底上的正投影，所述抑制层设置为抑制载流子从所述栅绝缘层向所述栅电极方向迁移。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影包含所述抑制层在所述衬底上的正投影。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层在所述衬底上的正投影包含所述抑制层在所述衬底上的正投影。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层与所述衬底之间的源电极和漏电极，所述栅电极在所述衬底上的正投影与所述源电极在所述衬底上的正投影部分交叠，且所述栅电极在所述衬底上的正投影与所述漏电极在所述衬底上的正投影部分交叠。
【专利技术属性】
技术研发人员：谢昌翰，顾鹏飞，董立文，张锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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