【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种石英晶振，具体为一种同时具有振荡和温度感应功能的石英晶振及其装配方法。
技术介绍
1、目前，石英谐振器与石英振荡器（两者统称为石英晶振）已广泛应用于电子电路控制领域，为提高石英晶振的频率温度特性精度，业内主要采用温度补偿和温度控制的方法，即通过测试石英晶振本身的温度并反馈给温度补偿控制电路，由温度补偿控制电路实时对石英晶振的温度进行控制。
2、现有技术中，石英晶振本身温度一般采用对其封装外部温度进行测试的方法，而温度补偿控制电路中的温度传感器则置于控制芯片的内部，这样就造成了测试温度与温度补偿控制电路中温度传感器感应的温度存在较大差异，由此不仅会导致对石英晶振温度控制精度降低，而且还因石英晶振封装外部温度不可能突变，使得在补偿调节过程中极易出现“过冲”现象，电路反应时间变长，增大了补偿控制电路的功耗。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种自感温型石英晶振及其装配方法，它通过与石英晶片直接接触的芯片式热敏电阻向温度补偿控制电路反馈石英晶片温度，以达到提高石英晶振频率温度特性精度、降低补偿控制电路功耗的目的。
2、为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种自感温型石英晶振，包括基座、石英晶片和热敏电阻；所述基座呈矩形凹槽结构，在基座矩形凹槽的底部四角位置处设有导电焊盘；所述石英晶片置于基座内，在石英晶片的上、下两面通过导电胶粘贴晶振电极，上、下两组晶振电极还分别通过导电胶与位于基座矩形凹槽底部的第一导电焊盘、第二导电焊盘
4、上述自感温型石英晶振，所述热敏电阻为芯片式热敏电阻，其厚度不大于0.15mm，其周边与热敏电阻电极连接，在其中心位置处焊接金线，热敏电阻与金线焊接后总高度低于基座外缘高度。
5、上述自感温型石英晶振，上、下两组晶振电极分别与第一导电焊盘、第二导电焊盘通过第一导电胶点连通；热敏电阻电极与第四导电焊盘通过第二导电胶点连通，金线两端分别与热敏电阻、第三导电焊盘通过超声焊接方式连通。
6、上述自感温型石英晶振，在所述基座的底面设有两组晶振电极引脚和两组热敏电阻电极引脚；所述晶振电极引脚位于基座底面一条对角线的两端，通过内部线路分别与第一导电焊盘、第二导电焊盘连接；所述热敏电阻电极引脚位于基座底面另一条对角线的两端，通过内部线路分别与第三导电焊盘、第四导电焊盘连接。
7、上述自感温型石英晶振，所述基座为陶瓷基座。
8、上述自感温型石英晶振，所述晶振电极和热敏电阻电极通过蒸镀工艺形成导电镀膜。
9、一种自感温型石英晶振的装配方法，用于实现上述自感温型石英晶振的装配过程，其操作步骤如下：
10、a、使用特定的电极掩膜版，对晶振电极与热敏电阻电极进行蒸镀，在晶振电极与热敏电阻电极的外表面形成导电镀膜；
11、b、选用设定规格的石英晶片，确定石英晶片中心部位为振荡核心区域，将上、下两组晶振电极分别粘贴在石英晶片的上下两面振荡核心区域；
12、c、在第一导电焊盘、第二导电焊盘上点胶，再将石英晶片压装在基座矩形凹糟的第一导电焊盘及第二导电焊盘上面，在石英晶片与第一导电焊盘及第二导电焊盘的连接处形成的第一导电胶点；
13、d、选用0.15mm厚度的芯片式热敏电阻，通过导电胶粘贴方式安装到石英晶片的非振荡核心区域并固化处理，采用超声焊接工艺在热敏电阻中心部位焊接金线，并将金线另一端焊接在基座的第三导电焊盘上面；
14、e、对石英晶振进行封装。
15、上述自感温型石英晶振的装配方法，在所述步骤d中，石英晶片的非振荡核心区域为晶振电极外部20倍的晶片厚度区域以内。
16、本专利技术提供一种自感温型石英晶振及其装配方法，适用于所有与温度相关的高稳定度石英晶体振荡器，包括热敏晶体，温度补偿型晶体振荡器，恒温晶体振荡器等，它将芯片式热敏电阻置于石英晶片的非振荡核心区域，使芯片式热敏电阻与石英晶片直接接触，可通过芯片式热敏电阻向温度补偿控制电路反馈石英晶片温度，使石英晶振的“振荡-感温-反馈-调节”整个闭环控制过程的反应时间缩短，以更加精确地实现频率控制。相较于现有技术中温度补偿型晶振，本专利技术不仅避免了测试温度与温度补偿控制电路中温度传感器感应的温度之间的差异，而且消除了补偿调节过程中的 “过冲”现象，从而达到了提高石英晶振频率温度特性精度、降低补偿控制电路功耗的目的。
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1.一种自感温型石英晶振，其特征在于：它包括基座（1）、石英晶片（2）和热敏电阻（5）；所述基座（1）呈矩形凹槽结构，在基座矩形凹槽的底部四角位置处设有导电焊盘；所述石英晶片（2）置于基座（1）内，在石英晶片（2）的上、下两面通过导电胶粘贴晶振电极（3），上、下两组晶振电极（3）还分别通过导电胶与位于基座矩形凹槽底部的第一导电焊盘（9）、第二导电焊盘（10）连接；所述热敏电阻（5）贴附在石英晶片（2）的上方，位于石英晶片（2）的非振荡核心区域，其一端通过热敏电阻电极（4）与位于基座矩形凹槽底部的第四导电焊盘（12）连接，另一端通过金线（6）与位于基座矩形凹槽底部的第三导电焊盘（11）连接。
2.根据权利要求1所述的自感温型石英晶振，其特征在于：所述热敏电阻（5）为芯片式热敏电阻，其厚度不大于0.15mm，其周边与热敏电阻电极（4）连接，在其中心位置处焊接金线（6），热敏电阻（5）与金线（6）焊接后总高度低于基座（1）外缘的高度。
3.根据权利要求2所述的自感温型石英晶振，其特征在于：上、下两组晶振电极分别与第一导电焊盘（9）、第二导电焊盘（10）通过第一导
4.根据权利要求3所述的自感温型石英晶振，其特征在于：在所述基座（1）的底面设有两组晶振电极引脚（13）和两组热敏电阻电极引脚（14）；所述晶振电极引脚（13）位于基座底面一条对角线的两端，通过内部线路分别与第一导电焊盘（9）、第二导电焊盘（10）连接；所述热敏电阻电极引脚（14）位于基座底面另一条对角线的两端，通过内部线路分别与第三导电焊盘（11）、第四导电焊盘（12）连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的自感温型石英晶振，其特征在于：所述基座（1）为陶瓷基座。
6.根据权利要求5所述的自感温型石英晶振，其特征在于：所述晶振电极（3）和热敏电阻电极（4）通过蒸镀工艺形成导电镀膜。
7.一种自感温型石英晶振的装配方法，其特征在于：它用于实现上述自感温型石英晶振的装配过程，其操作步骤如下：
8.根据权利要求7所述的自感温型石英晶振的装配方法，其特征在于：在所述步骤d中，石英晶片（2）的非振荡核心区域为晶振电极（3）外部20倍的晶片厚度区域以内。
...【技术特征摘要】
1.一种自感温型石英晶振，其特征在于：它包括基座（1）、石英晶片（2）和热敏电阻（5）；所述基座（1）呈矩形凹槽结构，在基座矩形凹槽的底部四角位置处设有导电焊盘；所述石英晶片（2）置于基座（1）内，在石英晶片（2）的上、下两面通过导电胶粘贴晶振电极（3），上、下两组晶振电极（3）还分别通过导电胶与位于基座矩形凹槽底部的第一导电焊盘（9）、第二导电焊盘（10）连接；所述热敏电阻（5）贴附在石英晶片（2）的上方，位于石英晶片（2）的非振荡核心区域，其一端通过热敏电阻电极（4）与位于基座矩形凹槽底部的第四导电焊盘（12）连接，另一端通过金线（6）与位于基座矩形凹槽底部的第三导电焊盘（11）连接。
2.根据权利要求1所述的自感温型石英晶振，其特征在于：所述热敏电阻（5）为芯片式热敏电阻，其厚度不大于0.15mm，其周边与热敏电阻电极（4）连接，在其中心位置处焊接金线（6），热敏电阻（5）与金线（6）焊接后总高度低于基座（1）外缘的高度。
3.根据权利要求2所述的自感温型石英晶振，其特征在于：上、下两组晶振电极分别与第一导电焊盘（9）、第二导电焊盘（10）通过第一导电胶点（7）连通；热敏电阻电极（4）与第三导电...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐建民，丁洁，王一民，李永斌，杨铁生，张立强，崔立志，郝建军，
申请(专利权)人：唐山国芯晶源电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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