System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种沉淀池、胶液循环系统和去胶机技术方案_技高网

一种沉淀池、胶液循环系统和去胶机技术方案

技术编号:40784495 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-28 19:16
本发明专利技术公开了一种沉淀池、胶液循环系统和去胶机。所述沉淀池包括:沉淀池外壳和冷却组件,所述沉淀池外壳的内部形成沉淀空间;所述冷却组件包括:冷却管、冷却液入口、冷却液出口,所述冷却管布设于所述沉淀空间内,所述冷却液入口连接所述沉淀池外壳,连通所述冷却管一端;所述冷却液出口连接所述沉淀池外壳,连通所述冷却管另一端;其中,所述沉淀空间用于容纳去胶液并沉淀去胶液的杂质,所述冷却组件用于对所述去胶液进行冷却降温。本发明专利技术解决了所述去胶液排放时腐蚀性高易损坏其他结构的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体行业晶片湿法处理领域,尤其涉及一种沉淀池、胶液循环系统和去胶机


技术介绍

1、晶圆是指制作硅半导体积体电路所使用的硅晶片,其形状为圆形,故称为晶圆。目前,在晶圆撕金去胶工艺过程中,常用去胶液冲刷安装在卡盘上的晶圆,来剥离晶圆上的胶和金属,为节省成本需要对使用的所述去胶液进行过滤沉淀等工序来重复利用所述去胶液。其中,所述去胶液在工作时的常规温度为80℃,但是所述去胶液在80℃时有腐蚀性,将其排放时会对其他结构造成腐蚀破坏。


技术实现思路

1、因此,本专利技术实施例提供一种沉淀池、胶液循环系统和去胶机,有效解决所述去胶液排放时腐蚀性高易损坏其他结构的问题。

2、一方面,本专利技术实施例提供一种沉淀池,所述沉淀池包括:沉淀池外壳和冷却组件,所述沉淀池外壳的内部形成沉淀空间;所述冷却组件包括:冷却管、冷却液入口、冷却液出口,所述冷却管布设于所述沉淀空间内,所述冷却液入口连接所述沉淀池外壳,连通所述冷却管一端;所述冷却液出口连接所述沉淀池外壳,连通所述冷却管另一端;其中,所述沉淀空间用于容纳去胶液并沉淀去胶液的杂质,所述冷却组件用于对所述去胶液进行冷却降温。

3、采用该技术方案后所达到的技术效果:在所述沉淀池中,所述去胶液的杂质会逐渐沉淀,实现杂质与所述去胶液的分离;所述冷却组件通过冷却液入口通入冷水等冷却液,冷水经过冷却管能够降低所述沉淀池内所述去胶液的温度,从而降低去胶液的腐蚀性,便于所述去胶液的回收利用,冷水从冷却液出口排出,便于循环使用。

4、在本专利技术的一个实施例中,所述沉淀池外壳包括沉淀池盖板,所述冷却液入口和所述冷却液出口连接所述沉淀池盖板。

5、采用该技术方案后所达到的技术效果:冷却液入口设置在沉淀池盖板便于对冷却液入口和冷却液出口安装管路。

6、在本专利技术的一个实施例中,所述沉淀池外壳还包括:沉淀池侧板,所述沉淀池侧板连接所述沉淀池盖板;所述沉淀池还包括:多个输入接口和/或浸泡过滤入口,所述输入接口连接所述沉淀池盖板,所述输入接口连通所述沉淀空间,所述浸泡过滤入口连接任意一个所述沉淀池侧板,所述浸泡过滤入口连通所述沉淀空间。

7、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述多个输入接口用于通入待处理的所述去胶液;将所述多个输入接口、所述冷却液入口和所述冷却液出口设于所述沉淀池外壳顶部便于人工操作;将所述浸泡过滤入口设于所述沉淀池外壳侧面可减少管路长度。

8、在本专利技术的一个实施例中,所述沉淀池还包括:排液口,所述排液口连通所述沉淀空间,位于所述沉淀池外壳侧面靠近底部的一侧。

9、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述排液口用于排放经冷却沉淀处理的所述去胶液。

10、在本专利技术的一个实施例中,所述沉淀池还包括:温度传感器,连接所述沉淀池外壳,伸入所述沉淀空间。

11、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述温度传感器用于监测所述沉淀池中所述去胶液的温度。

12、另一方面,本专利技术实施例提供一种胶液循环系统,包括:所述的任意一种沉淀池;三级过滤装置,所述三级过滤装置连接所述排液口;加压组件,连接所述三级过滤装置。

13、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述沉淀池经所述三级过滤装置过滤后可用于所述加压组件的循环。

14、在本专利技术的一个实施例中,所述三级过滤装置包括:第一级过滤装置,所述第一级过滤装置连接所述排液口,设有第一排污口和第一过滤接口;第二级过滤装置,所述第二级过滤装置连接所述第一级过滤装置,设有第二排污口和第二过滤接口;第三级过滤装置,所述第三级过滤装置连接所述第二级过滤装置,设有第三排污口、第三过滤接口以及连接所述加压组件的第三出液口;

15、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述第一级过滤装置、所述第二级过滤装置和所述第三级过滤装置依次连接,依次过滤,并通过所述第一排污口、所述第二排污口和所述第三排污口排出废水,通过所述第三出液口排出成品。

16、在本专利技术的一个实施例中,还包括:浸泡过滤组件,所述浸泡过滤组件连接所述浸泡过滤入口,设有第四排污口和腔体废水入口;去胶腔体,设有去胶液出口、抽气组件和排废组件。其中,所述去胶液出口连接任意一个所述输入接口,所述抽气组件连接任意一个所述输入接口,所述排废组件连接所述腔体废水入口。

17、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述排废组件的所述去胶液通过所述浸泡过滤组件过滤部分杂质后通入所述沉淀池。

18、在本专利技术的一个实施例中,还包括:浸泡组件,设有多个浸泡组件排污口连接,每个所述浸泡组件排污口连接任意一个所述输入接口。

19、采用该技术方案后所达到的技术效果:所述浸泡过滤组件的废水通过所述输入接口通入所述沉淀池进行冷却沉淀。

20、再一方面,本专利技术实施例提供一种去胶机,包括所述胶液循环系统。

21、采用该技术方案后所达到的技术效果:使所述去胶机能够循环利用所述去胶液。

22、综上所述,本申请上述各个实施例可以具有如下一个或多个优点或有益效果:i)所述水冷组件能够将降低所述沉淀池内的所述去胶液的温度,从而降低其腐蚀性防止损坏其他结构,便于所述去胶液的回收利用;ii)所述三级过滤装置用于将沉淀池中经冷却沉淀处理后的所述去胶液进一步过滤,可用于所述加压组件循环;iii)所述多个输入接口用于将所述浸泡组件和所述去胶腔体的所述去胶液通入所述沉淀池。

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【技术保护点】

1.一种沉淀池,其特征在于,所述沉淀池包括:沉淀池外壳和冷却组件,所述沉淀池外壳的内部形成沉淀空间;

2.根据权利要求1所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池外壳包括沉淀池盖板,所述冷却液入口和所述冷却液出口连接所述沉淀池盖板。

3.根据权利要求2所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池外壳还包括:沉淀池侧板,所述沉淀池侧板连接所述沉淀池盖板;

4.根据权利要求1所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池还包括:

5.根据权利要求1所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池还包括:

6.一种胶液循环系统,其特征在于,包括:

7.根据权利要求6所述的一种胶液循环系统,其特征在于,所述三级过滤装置包括:

8.根据权利要求7所述的一种胶液循环系统,其特征在于,所述沉淀池还包括:浸泡过滤入口;所述胶液循环系统还包括:

9.根据权利要求7所述的一种胶液循环系统,其特征在于,还包括:

10.一种去胶机,其特征在于,包括权利要求6-9任意一种所述的胶液循环系统。

【技术特征摘要】

1.一种沉淀池,其特征在于,所述沉淀池包括:沉淀池外壳和冷却组件,所述沉淀池外壳的内部形成沉淀空间;

2.根据权利要求1所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池外壳包括沉淀池盖板,所述冷却液入口和所述冷却液出口连接所述沉淀池盖板。

3.根据权利要求2所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池外壳还包括:沉淀池侧板,所述沉淀池侧板连接所述沉淀池盖板;

4.根据权利要求1所述的沉淀池,其特征在于,所述沉淀池还包括:

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈云清周鹏
申请(专利权)人:宁波润华全芯微电子设备有限公司
类型:发明
国别省市:

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