组合式全自动去胶剥离机制造技术

本发明专利技术公开了一种组合式全自动去胶剥离机包括：两台去胶机，包括：第一去胶机，设有第一去胶腔体、第一去胶液加压组件和第一过滤装置；第二去胶机，设有第二去胶腔体、第二去胶液加压组件和第二过滤装置；一个沉淀池，分别与所述第一去胶腔体和所述第二去胶腔体连通；一个浸泡组件，连通所述沉淀池，用浸泡液浸泡晶圆，去除晶圆上残留的去胶液；一个第一清洗组件，所述第一清洗组件用清洗液清洗晶圆上残留的浸泡液；一个晶圆供给装置，晶圆供给装置用于运输晶圆，将晶圆运输至所述第一去胶腔体、所述第二去胶腔体、所述沉淀池、所述浸泡组件和所述第一清洗组件中。本发明专利技术有效解决了去胶机效率低，占地面积大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体行业晶片湿法处理领域，尤其涉及一种组合式全自动去胶剥离机。

技术介绍

1、晶圆是指制作硅半导体积体电路所使用的硅晶片，其形状为圆形，故称为晶圆。目前，在晶圆加工工艺中，一般将晶圆设于去胶腔体中，固定于卡盘上，用去胶液喷嘴喷出的去胶液冲刷安装在卡盘上的晶圆，来剥离晶圆上的光刻胶和金属，晶圆去胶后放入浸泡池中浸泡洗去残余去胶液。另外，使用后的去胶液及其废液通过沉淀以及多组过滤进行回收利用。

2、目前，在去胶过程中的问题有：去胶液喷嘴不能有效去除晶圆上的光刻胶和金属；去胶腔体内的雾化去胶液以及侧板渗出的去胶液不能有效回收；去胶液冲刷过程中，容易下渗至卡盘的电机，导致电机污染；卡盘尺寸只适用一种规格的晶圆；卡盘离心力大，晶圆易脱离；去胶液工作温度一般为80℃左右，具有腐蚀性，回收时容易损坏其他零件；去胶液回收利用至去胶液喷嘴时，加压不稳定；过滤系统效果差，寿命短等问题，且及去胶、浸泡及回收于一体的去胶机造价高，占地面积大。

技术实现思路

1、因此，本专利技术实施例提供一种组合式全自动去本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述第一去胶腔体和所述第二去胶腔体结构相同，均包括：

3.根据权利要求2所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述晶圆安装组件包括：

4.根据权利要求1所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求2所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述第一去胶腔体和所述第二去胶腔体还包括：

6.根据权利要求2所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述第一去胶腔体和所述第二去胶腔体还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述第一去胶腔体和所述第二去胶腔体结构相同，均包括：

3.根据权利要求2所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述晶圆安装组件包括：

4.根据权利要求1所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求2所述的组合式全自动去胶剥离机，其特征在于，所述第一去胶腔体和所述第二去胶腔体还包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：沈云清，周鹏，
申请(专利权)人：宁波润华全芯微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：