【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及半导体器件。
技术介绍
1、正在进行研究以开发一种可以替代动态随机存取存储器(dram)和闪存的器件。例如，正在研究铁电器件作为非易失性高速随机存取存储器(ram)。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例提供了一种具有增强的电性质的半导体器件。
2、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件包括衬底。多个水平结构堆叠在所述衬底上并且彼此间隔开。多个垂直结构穿透所述多个水平结构。所述多个垂直结构中的每一个垂直结构包括垂直源极线、垂直位线、沟道层和电介质层。所述沟道层与所述垂直源极线和所述垂直位线直接接触。所述电介质层设置在所述多个水平结构与所述沟道层之间。所述多个水平结构中的每一个水平结构包括：第一导电层、围绕所述第一导电层的至少一部分的铁电层、以及位于所述铁电层与所述电介质层之间的第二导电层。
3、根据本专利技术构思的实施例，一种半导体器件包括衬底。多个水平结构堆叠在所述衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开。多个垂直结构穿透所述多个水平结构。所述多个垂直结构中的每一个垂直结构包括：在水平方向上与所述多个水平结构交叠的垂直导线、位于所述垂直导线的侧表面上的沟道层、以及位于所述沟道层的侧表面上的电介质层。所述多个水平结构中的每一个水平结构包括：第一导电层、围绕所述第一导电层的至少一部分的铁电层、以及位于所述铁电层与所述电介质层之间的第二导电层。所述第二导电层的上表面与所述铁电层的上表面在所述垂直方向上共面。
4、根据本专利技术构思的
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层与所述电介质层的侧表面直接接触并且与所述第一导电层间隔开。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述垂直源极线和所述垂直位线与所述多个水平结构水平地交叠。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电层具有彼此交替层叠的第一层和第二层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
12.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
13.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
14.一种半导体器件，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层与所述电介质层的侧表面直接接触并且与所述第一导电层间隔开。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述垂直源极线和所述垂直位线与所述多个水平结构水平地交叠。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电层具有彼此交替层叠的第一层和第二层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中：
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