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一种半导体器件包括衬底。多个水平结构堆叠在衬底上并且彼此间隔开。多个垂直结构穿透多个水平结构。多个垂直结构中的每一个垂直结构包括垂直源极线、垂直位线、沟道层和电介质层。沟道层与垂直源极线和垂直位线直接接触。电介质层位于多个水平结构与沟道层之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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