【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式涉及半导体存储器装置，并且更具体地，涉及非易失性存储器装置。
技术介绍
1、半导体存储器装置可以包括能够存储数据的多个存储器单元。作为一种半导体存储器装置，非易失性存储器装置即使在向存储器装置供应的电力被中断时也可以保留所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除和可编程rom(eeprom)、闪存(ram)、电阻式随机存取存储器(rram)、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、铁电式ram(fram)等。
2、非易失性存储器装置已经从二维(2d)结构改变为三维(3d)结构。具有3d结构的存储器单元阵列包括层叠在基板上的多个存储器单元，其集成度可以高于具有2d结构的存储器单元阵列的集成度。由于3d存储器单元阵列的结构改变，对应的半导体存储器装置的操作可靠性可能劣化。
技术实现思路
1、本公开的实施方式可以提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括通过联接到位线的沟道层彼此联接的单元串和辅助串，其中单元串包括沿着沟道层的第一侧部分层叠的多个存储器单元，并且其中辅助串包括沿着沟道层的第二侧部分层叠的多个辅助晶体管；以及电压供应电路，其被配置为向联接到多个辅助晶体管的多条辅助字线当中的未选辅助字线施加第一通过电压。电压供应电路附加地被配置为在向联接到多个存储器单元的多条字线当中的被选字线施加编程电压或读取电压时，向多条字线当中的未
2、本公开的实施方式可以提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：沟道层，其包括面对不同方向的第一侧部分和第二侧部分；栅极层叠体，其围绕沟道层的第一侧部分；辅助栅极层叠体，其围绕沟道层的第二侧部分；以及数据储存层，其设置在沟道层的第一侧部分和栅极层叠体之间，数据储存层被形成为使得沟道层的第二侧部分被打开。
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述未选辅助字线与所述未选字线设置于基本相同的高度。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路在向所述被选字线施加所述编程电压时，向所述多条辅助字线当中的与所述被选字线设置于基本相同高度的被选辅助字线施加第二电压，并且
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路在向所述被选字线施加所述编程电压时，供应接地电压或正电压作为所述第二电压。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
7.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路在向所述被选字线施加所述读取电压时，向所述多条辅助字线当中与所述被选字线设置于基本相同高度的被选辅助字线施加第二电压。
9.根据权利要求8所述的
10.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
11.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
12.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，
15.根据权利要求14所述的半导体存储器装置，其中，所述多条辅助字线与所述多条字线设置于基本相同的高度并且所述多条辅助字线与所述多条字线间隔开。
16.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
17.根据权利要求16所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述未选辅助字线与所述未选字线设置于基本相同的高度。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路在向所述被选字线施加所述编程电压时，向所述多条辅助字线当中的与所述被选字线设置于基本相同高度的被选辅助字线施加第二电压，并且
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路在向所述被选字线施加所述编程电压时，供应接地电压或正电压作为所述第二电压。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
6.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
7.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路：
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述电压供应电路在向所述被选字线施加所述读取电压时，向所述多条辅助字线当中与所述被选字线设置于基本...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在雄，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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