【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种隧道磁阻tmr感测元件、相应的制造方法和传感器。
技术介绍
1、磁隧道结(mtj)包括由称为隧道势垒的相对薄的绝缘体层分开的两个铁磁层。隧道势垒层足够薄，以便当在一对接触电极之间施加偏置电压时允许电子从一个铁磁层隧穿到另一个铁磁层。在mtj中，隧穿电流取决于两个铁磁层的磁化的相对取向，其可以通过施加的磁场而改变。这种现象被称为隧道磁阻(tmr)效应。因此包括mtj的感测元件(称为tmr感测元件)可以使得能够测量所施加磁场的强度。
技术实现思路
1、在一些实施方式中，隧道磁阻tmr感测元件包含自由层，所述自由层包括：第一钴铁硼(cofeb)层；在所述第一cofeb层上方的中间层；在所述中间层上方的第二cofeb层；以及在所述第二cofeb层上方的镍铁(nife)层。
2、在一些实施方式中，传感器包括磁阻(mr)感测元件，所述磁阻感测元件包括：晶种层；在所述晶种层上方的参考层；在所述参考层上方的隧道势垒层；在所述隧道势垒层上方的自由层，其中，自由层包括：第一cofeb层、第二cofeb层、在所述第一cofeb层和所述第二cofeb层之间的中间层、以及在所述第二cofeb层上方的nife层；以及自由层上的盖层。
3、在一些实施方式中，一种方法包括在隧道势垒层上形成第一cofeb层；在所述第一cofeb层上或上方形成中间层；在所述中间层上或上方形成第二cofeb层；以及在第二cofeb层上或上方形成nife层。
【技术保护点】
1.一种隧道磁阻TMR感测元件，包括：
2.根据权利要求1所述的TMR感测元件，其中，所述第二CoFeB层具有在从约0.5纳米到约4纳米的范围内的厚度。
3.根据权利要求1所述的TMR感测元件，其中，所述中间层包括氧化镁(MgO)或钽(Ta)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的TMR感测元件，其中，所述中间层具有在从约0.1纳米到约0.5纳米的范围内的厚度。
5.根据权利要求1所述的TMR感测元件，其中，所述第一CoFeB层具有在从约1纳米到约4纳米的范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的TMR感测元件，其中，所述NiFe层具有在从约5纳米到约20纳米的范围内的厚度。
7.根据权利要求1所述的TMR感测元件，其中，所述中间层为第一中间层，并且所述TMR感测元件还包括在所述第二CoFeB层和所述NiFe层之间的第二中间层。
8.根据权利要求7所述的TMR感测元件，其中，所述第二中间层具有在从约0.1纳米到约0.5纳米的范围内的厚度。
9.根据权利要求7所述的TMR感测元件，其中，所
10.一种传感器，包括：
11.根据权利要求10所述的传感器，其中，所述第二CoFeB层具有在从约1纳米到约4纳米的范围内的厚度。
12.根据权利要求10所述的传感器，其中，所述第一CoFeB层具有在从约1纳米到约4纳米的范围内的厚度。
13.根据权利要求10所述的传感器，其中，所述NiFe层具有在从约5纳米到约20纳米的范围内的厚度。
14.根据权利要求10所述的传感器，其中，所述中间层是第一中间层，并且所述自由层还包括第二中间层，所述第二中间层在所述第二CoFeB层和所述NiFe层之间。
15.根据权利要求14所述的传感器，其中，所述第二中间层具有在从约0.1纳米到约0.5纳米的范围内的厚度。
16.一种方法，包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第二CoFeB层具有在从约1纳米到约4纳米的范围内的厚度。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一CoFeB层具有在从约1纳米到约4纳米的范围内的厚度。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述NiFe层具有在从约5纳米到约20纳米的范围内的厚度。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述中间层是第一中间层，并且所述方法还包括形成第二中间层，所述第二中间层在所述第二CoFeB层和所述NiFe层之间。
...【技术特征摘要】
1.一种隧道磁阻tmr感测元件，包括：
2.根据权利要求1所述的tmr感测元件，其中，所述第二cofeb层具有在从约0.5纳米到约4纳米的范围内的厚度。
3.根据权利要求1所述的tmr感测元件，其中，所述中间层包括氧化镁(mgo)或钽(ta)中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的tmr感测元件，其中，所述中间层具有在从约0.1纳米到约0.5纳米的范围内的厚度。
5.根据权利要求1所述的tmr感测元件，其中，所述第一cofeb层具有在从约1纳米到约4纳米的范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的tmr感测元件，其中，所述nife层具有在从约5纳米到约20纳米的范围内的厚度。
7.根据权利要求1所述的tmr感测元件，其中，所述中间层为第一中间层，并且所述tmr感测元件还包括在所述第二cofeb层和所述nife层之间的第二中间层。
8.根据权利要求7所述的tmr感测元件，其中，所述第二中间层具有在从约0.1纳米到约0.5纳米的范围内的厚度。
9.根据权利要求7所述的tmr感测元件，其中，所述第二中间层包括钽。
10.一种传感器，包括：
11.根据权利要求10所述的传感器，其中，所述第二cof...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·安德烈斯，K·普鲁格尔，J·齐默，M·基尔希，M·阿格拉沃尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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