一种用惰性气体保护法制备高品质ＡＺＯ靶材的方法技术

本发明专利技术介绍了一种用惰性气体保护法制备高品质ＡＺＯ靶材的方法，使用纯度不低于９９．９％的纳米氧化锌与纯度不低于９９．９９％的纳米氧化铝，氧化铝占总重量的１．０～５．０％，将混合物球磨掺杂，喷雾造粒，采用模压和冷等静压成型相结合的方式成型，最后在１２００～１４５０℃的温度下进行惰性气体保护烧结，制备出ＡＺＯ靶材。本发明专利技术可明显降低ＡＺＯ靶材的烧结温度，有效抑制氧化锌的挥发，能在较低的温度下制备出高纯度、高密度且晶粒度细小的ＡＺＯ靶材；制造工艺简单可控、生产成本低，易于实现连续化、规模化生产；特别利于制备大规格高品质的ＡＺＯ靶材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电材料领域技术，特别是一种用惰性气体保护法制备高品质 AZO靶材的方法。
技术介绍
氧化物透明导电薄膜简称TC0，主要有ln203、SnO2和ZnO三大体系及其掺杂体 系 In2O3: Sn (简称 ΙΤ0)、In2O3 = Mo (简称 ΙΜ0)、SnO2: Sb (简称 ΑΤΟ)、Sn02:F(简称 FT0)、 Ζη0:Α1 (简称ΖΑ0)等。在这些氧化物透明导电薄膜中，ITO薄膜呈复杂的立方铁锰矿结构， 具有高的可见光透光率和红外反射率、低的电阻率、耐磨损以及良好的机械强度和化学稳 定性，可见光透光率可达约90%，电阻率为1 4Χ10_4Ω · cm，因此在液晶显示器、太阳能 电池、防静电、防微波辐射等领域有着广泛的实际应用。目前市场上使用的ITO透明导电氧 化物薄膜，其技术是成熟的，但由存在(1)铟属于稀有金属，自然储量少，价格昂贵成本较 高；(2)铟有毒，在制备和应用中对人体有害；(3)易受氢等离子体的还原作用，在用于太阳 能电池作为透明电极时，薄膜中的In会向电池材料中扩散，影响器件的性能稳定性等不足 和缺陷，从而限制了其在实践中的广泛使用。由于ZA本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用惰性气体保护法制备高品质ＡＺＯ靶材的方法，其特征是：该方法使用纯度不低于９９．９％的纳米氧化锌与纯度不低于９９．９９％的纳米氧化铝，氧化铝的含量占氧化锌与氧化铝的总重量的１．０～５．０％，将氧化锌与氧化铝的混合物进行球磨机械掺杂，确保两者混合均匀，然后对球磨料浆进行喷雾造粒，采用模压和冷等静压成型相结合的方式进行成型，最后在１２００～１４５０℃的温度下进行惰性气体保护烧结，烧结时间为４～１６小时，制备出ＡＺＯ靶材。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀勤，王政红，薛建强，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七二五研究所，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]