【技术实现步骤摘要】
本申请涉及干刻刻蚀领域，尤其涉及一种二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环和干刻设备。
技术介绍
1、在半导体工艺中，干刻刻蚀为一种常用的刻蚀手段，icp(inductively coupledplasma，电感耦合等离子)干刻通过离子轰击物理性地移除衬底表面的材料。但在icp干刻时，形成的离子也会对衬底周围的导向环形成轰击，造成损耗。导向环通常主要包括二氧化硅，在使用的过程中二氧化硅不断被离子轰击而损耗，并在受到一定损耗后需要进行更换，频繁更换导向环造成生产和维护成本的增加。
2、因此，如何提高导向环的使用寿命是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种二氧化硅抗离子轰击处理方法、导向环和干刻设备，旨在解决导向环在离子轰击场景下的使用寿命不高的问题。
2、一种二氧化硅抗离子轰击处理方法，包括：
3、提供二氧化硅基层；
4、向所述二氧化硅基层注入第一离子以形成一次损伤层，所述一次损伤层的强度高于所述二氧化硅基层；
5、向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层，所述二次损伤层的强度高于所述一次损伤层；
6、其中，所述第一离子和所述第二离子在所述二氧化硅基层中能够形成化学键。
7、上述二氧化硅抗离子轰击处理方法通过注入两种离子形成二次损伤层，形成大量位错，使得二氧化硅基层表面强度更高，且第二离子注入后可以与第一离子形成化学键，一定程度上弥补晶格，增加层间的结合强
8、可选地，所述向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层包括：
9、将第一厚度的所述一次损伤层转化为所述二次损伤层，所述第一厚度小于所述一次损伤层形成时的厚度。
10、二次损伤层可以仅仅形成在一次损伤层的表面，且厚度可以较薄，缩短离子注入的时间，将第二离子注入一次损伤层的表面部分，有利于化学键的形成，增强二次损伤层和一次损伤层之间结合强度。
11、可选地，所述向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层的过程中，使部分所述第二离子被注入所述一次损伤层与所述二氧化硅基层的界面。
12、部分第二离子注入一次损伤层与二氧化硅基层的界面，在一次损伤层与二氧化硅基层的界面能够与第一离子形成化学键，增加一次损伤层与二氧化硅基层之间的结合强度。
13、可选地，所述第一离子为氮离子，所述第二离子为碳离子。
14、氮离子和碳离子注入后可以形成碳氮键，保证各层之间的结合强度。
15、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种导向环，所述导向环包括二氧化硅基层，所述二氧化硅基层通过上述的二氧化硅抗离子轰击处理方法进行过处理。
16、上述导向环所形成的二次损伤层形成的大量位错使得导向环具有更高的强度，且其中注入的第一离子和第二离子形成的化学键增加二次损伤层的结合强度，在面对离子轰击时的损耗更小，且高强度的二次损伤层不易脱落，使用寿命显著提高。
17、基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种干刻设备，所述干刻设备包括刻蚀腔室以及上述的导向环，所述导向环安装于所述刻蚀腔室内，所述导向环上形成的所述二次损伤层朝向离子轰击的一侧。
18、上述干刻设备的导向环形成有二次损伤层，其强度更高，相同使用过程中受到的损伤更小，且高强度的二次损伤层不易脱落，能够具有更长的使用寿命，降低更换频率，从而降低生产、维护的成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层包括：
3.如权利要求2所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层的过程中，使部分所述第二离子被注入所述一次损伤层与所述二氧化硅基层的界面。
4.如权利要求1所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述第一离子和所述第二离子中的一者为氮离子，另一者为碳离子。
5.如权利要求4所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述第一离子为氮离子，所述第二离子为碳离子。
6.如权利要求4所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述氮离子和/或所述碳离子的注入浓度为9*1017至11*1017cm-2。
7.如权利要求1-6任一项所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述向所述二氧化硅基层注入第一离子和/或向所述一次损伤层注入第二离子的温度为600至1000℃。
8.如权
9.一种导向环，其特征在于，所述导向环包括二氧化硅基层，所述二氧化硅基层通过权利要求1-8任一项的二氧化硅抗离子轰击处理方法进行过处理。
10.一种干刻设备，其特征在于，所述干刻设备包括刻蚀腔室以及权利要求9所述的导向环，所述导向环安装于所述刻蚀腔室内，所述导向环上形成的所述二次损伤层朝向离子轰击的一侧。
...【技术特征摘要】
1.一种二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层包括：
3.如权利要求2所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述向所述一次损伤层注入第二离子以形成二次损伤层的过程中，使部分所述第二离子被注入所述一次损伤层与所述二氧化硅基层的界面。
4.如权利要求1所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述第一离子和所述第二离子中的一者为氮离子，另一者为碳离子。
5.如权利要求4所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述第一离子为氮离子，所述第二离子为碳离子。
6.如权利要求4所述的二氧化硅抗离子轰击处理方法，其特征在于，所述氮离子和/...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，苏财钰，张涛，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。