【技术实现步骤摘要】
本公开涉及pecvd设备，具体地，涉及一种pecvd气体喷淋件、成膜系统及制造方法。
技术介绍
1、pecvb(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子增强型化学气相沉积)技术被广泛应用在半导体制造、平板制造和太阳能电池制造等领域，主要用于沉积各种绝缘薄膜和半导体薄膜。相关技术中，pecvb喷淋件基于传统减材制造工艺的限制，使得喷淋件的零部件数量较多且均采用机加工加工，并通过定位密封装配形成功能体，加工制造难度大，费时费力且密封性较差，同时易导致气相沉积工艺气体供给不均匀，使得镀膜空间的气流场均匀度有限，成膜质量较差。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种pecvd气体喷淋件、成膜系统及制造方法，该pecvd气体喷淋件能够有效地简化了复杂的制造和装配工艺，同时实现工艺气体均匀地喷淋，成膜质量高。
2、为了实现上述目的，本公开的第一方面提供一种pecvd气体喷淋件，包括喷淋主体，所述喷淋主体包括进气板、排气板以及形成在所述进气板和所述排气板之间的布气腔，所述进气板上形成与所述布气腔连通的进气流道，所述排气板上形成有与所述布气腔连通的多个第一排气孔，所述喷淋主体一体成型。
3、可选地，所述喷淋主体形成箱体结构，所述箱体结构包括所述进气板、所述排气板以及位于所述进气板和所述排气板外周缘之间的侧板，所述布气腔形成在所述进气板、所述排气板以及所述侧板三者之间，所述喷淋主体还包括布气板，所述布气板的外周缘结合到所述侧
4、可选地，所述进气流道包括进气孔、进气腔和排气腔，所述进气孔的进气口延伸至所述进气板的外壁外，所述进气腔形成在所述进气板内部并且沿周向围绕所述进气孔布置，所述进气腔连通于所述进气孔，所述排气腔形成在所述进气板的内壁并与所述进气腔连通。
5、可选地，所述排气腔内向内凸出形成有沿所述排气腔延伸的排气凸起，所述排气凸起沿延伸方向的两侧壁上分别形成有多个第二排气孔，所述第二排气孔分别连通所述排气腔和所述第一密封腔。
6、可选地，所述排气凸起为环形凸起或直线凸起，所述排气腔对应形成为环形腔或直线腔，所述进气腔为直线流道，所述直线凸起或直线流道构成十字形结构；
7、所述排气腔为一个，一个所述排气腔形成围绕所述进气孔延伸的所述环形腔，或者所述排气腔为多个，多个所述排气腔形成为沿所述进气孔的周向间隔布置地多个所述环形腔，并且多个所述环形腔通过环形流道依次连通。
8、可选地，所述进气流道还包括一个围绕所述进气孔且呈螺旋式盘绕的预热流道，所述预热流道的内端和所述排气腔连通。
9、可选地，所述侧板内部还形成有补气腔，所述补气腔具有延伸到所述侧板外的补气孔，并且所述补气腔与所述排气腔连通。
10、可选地，所述进气板的内壁沿径向形成为中心内凸部和环形外凹部，所述进气腔对应所述环形外凹部布置，所述排气腔形成在所述环形外凹部的凹点。
11、可选地，所述布气板的两侧壁中至少一者形成第一圆锥面，以使得所述第一密封腔和/或所述第二密封腔的容积沿径向向外逐渐增大。
12、可选地，所述排气板上形成有第一排气区以及围绕所述第一排气区的外周缘布置的第二排气区，并且位于所述第一排气区内的所述第一排气孔的孔间距大于位于所述第二排气区内的所述第一排气孔的孔间距。
13、可选地，所述排气板的外壁形成向外凸出的第二圆锥面。
14、可选地，所述进气板和所述侧板的至少一者上还设置有气体加热件。
15、本公开的第二方面，还提供一种pecvd成膜系统，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的成膜腔室，所述上电极为如上所述的pecvd气体喷淋件。
16、本公开的第三方面，还提供一种pecvd气体喷淋件的制造方法，包括根据工艺需求对如上所述的气体喷淋件进行建模，以及通过增材制造工艺一体成型所述气体喷淋件。
17、通过上述技术方案，即本公开提供pecvd气体喷淋件，通过将工艺气体经由喷淋主体的进气板的进气流道引导至喷淋主体的布气腔内进行气体均匀，并且将均匀后的工艺气体经过喷淋主体的排气板的多个第一排气孔将工艺气体均匀地排出，喷淋效果好，从而能够保证稳定且高效地的成膜质量。并且，喷淋主体为一体成型，有效地简化了复杂的制造和装配过程，同时避免了例如由于多个加工件经过定位密封装配从而导致气体泄露的风险，密闭性好且可靠性高，进一步地提高了工艺气体供给的均匀性。
18、本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种PECVD气体喷淋件，其特征在于，包括喷淋主体，所述喷淋主体包括进气板、排气板以及形成在所述进气板和所述排气板之间的布气腔，所述进气板上形成与所述布气腔连通的进气流道，所述排气板上形成有与所述布气腔连通的多个第一排气孔，所述喷淋主体一体成型。
2.根据权利要求1所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述喷淋主体形成箱体结构，所述箱体结构包括所述进气板、所述排气板以及位于所述进气板和所述排气板外周缘之间的侧板，所述布气腔形成在所述进气板、所述排气板以及所述侧板三者之间，所述喷淋主体还包括布气板，所述布气板的外周缘结合到所述侧板的内壁上以将所述布气腔分割为接近所述进气板的第一密封腔和接近所述排气板的第二密封腔，所述布气板上形成有间隔分布的多个布气孔以连通所述第一密封腔和所述第二密封腔。
3.根据权利要求2所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述进气流道包括进气孔、进气腔和排气腔，所述进气孔的进气口延伸至所述进气板的外壁外，所述进气腔形成在所述进气板内部并且沿周向围绕所述进气孔布置，所述进气腔连通于所述进气孔，所述排气腔形成在所述进气板的内壁并与所
4.根据权利要求3所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述排气腔内向内凸出形成有沿所述排气腔延伸的排气凸起，所述排气凸起沿延伸方向的两侧壁上分别形成有多个第二排气孔，所述第二排气孔分别连通所述排气腔和所述第一密封腔。
5.根据权利要求4所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述排气凸起为环形凸起或直线凸起，所述排气腔对应形成为环形腔或直线腔，所述进气腔为直线流道，所述直线凸起或直线流道构成十字形结构；
6.根据权利要求3所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述进气流道还包括一个围绕所述进气孔且呈螺旋式盘绕的预热流道，所述预热流道的内端和所述排气腔连通。
7.根据权利要求3或6所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述侧板内部还形成有补气腔，所述补气腔具有延伸到所述侧板外的补气孔，并且所述补气腔与所述排气腔连通。
8.根据权利要求3所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述进气板的内壁沿径向形成为中心内凸部和环形外凹部，所述进气腔对应所述环形外凹部布置，所述排气腔形成在所述环形外凹部的凹点。
9.根据权利要求2所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述布气板的两侧壁中至少一者形成第一圆锥面，以使得所述第一密封腔和/或所述第二密封腔的容积沿径向向外逐渐增大。
10.根据权利要求2所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述排气板上形成有第一排气区以及围绕所述第一排气区的外周缘布置的第二排气区，并且位于所述第一排气区内的所述第一排气孔的孔间距大于位于所述第二排气区内的所述第一排气孔的孔间距。
11.根据权利要求2或10所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述排气板的外壁形成向外凸出的第二圆锥面。
12.根据权利要求2所述的PECVD气体喷淋件，其特征在于，所述进气板和所述侧板的至少一者上还设置有气体加热件。
13.一种PECVD成膜系统，其特征在于，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和所述下电极之间的成膜腔室，所述上电极为根据权利要求1-12中任意一项所述的PECVD气体喷淋件。
14.一种PECVD气体喷淋件的制造方法，其特征在于，包括
...【技术特征摘要】
1.一种pecvd气体喷淋件，其特征在于，包括喷淋主体，所述喷淋主体包括进气板、排气板以及形成在所述进气板和所述排气板之间的布气腔，所述进气板上形成与所述布气腔连通的进气流道，所述排气板上形成有与所述布气腔连通的多个第一排气孔，所述喷淋主体一体成型。
2.根据权利要求1所述的pecvd气体喷淋件，其特征在于，所述喷淋主体形成箱体结构，所述箱体结构包括所述进气板、所述排气板以及位于所述进气板和所述排气板外周缘之间的侧板，所述布气腔形成在所述进气板、所述排气板以及所述侧板三者之间，所述喷淋主体还包括布气板，所述布气板的外周缘结合到所述侧板的内壁上以将所述布气腔分割为接近所述进气板的第一密封腔和接近所述排气板的第二密封腔，所述布气板上形成有间隔分布的多个布气孔以连通所述第一密封腔和所述第二密封腔。
3.根据权利要求2所述的pecvd气体喷淋件，其特征在于，所述进气流道包括进气孔、进气腔和排气腔，所述进气孔的进气口延伸至所述进气板的外壁外，所述进气腔形成在所述进气板内部并且沿周向围绕所述进气孔布置，所述进气腔连通于所述进气孔，所述排气腔形成在所述进气板的内壁并与所述进气腔连通。
4.根据权利要求3所述的pecvd气体喷淋件，其特征在于，所述排气腔内向内凸出形成有沿所述排气腔延伸的排气凸起，所述排气凸起沿延伸方向的两侧壁上分别形成有多个第二排气孔，所述第二排气孔分别连通所述排气腔和所述第一密封腔。
5.根据权利要求4所述的pecvd气体喷淋件，其特征在于，所述排气凸起为环形凸起或直线凸起，所述排气腔对应形成为环形腔或直线腔，所述进气腔为直线流道，所述直线凸起或直线流道构成十字形结构；
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵树明，王晓华，张坤，唐柳平，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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