【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构和半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、hbm(high bandwidth memory，高带宽内存)是一款新型的内存。以hbm为代表的芯片堆叠技术，将原本一维的存储器布局扩展到三维，即将很多个芯片堆叠在一起并进行封装，从而大幅度提高了芯片的密度，并实现了大容量和高带宽。
2、然而，随着堆叠层数的增加，芯片在工作时产生的热量会堆积，从而对产品性能造成不良影响。比如，温度升高会影响半导体结构的体积，进而导致材料产生机械裂纹；温度升高还会影响芯片的电气性能，从而难以达到预期功能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，至少有利于提高芯片的散热程度，从而提高半导体结构的性能。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：承载结构；位于所述承载结构上的堆叠结构；所述堆叠结构包括堆叠设置的散热板和芯片模块，所述芯片模块至少包括一个芯片；所述散热板在所述承载结构上的正投影的面积大于所述芯片模块在所述承载结构上的正投影的面积。
3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构的制造方法，制造方法包括：提供承载结构和堆叠结构；将所述堆叠结构设置在所述承载结构上；所述堆叠结构包括堆叠设置的散热板和芯片模块，所述芯片模块至少包括一个芯片；所述散热板在所述承载结构上的正投影的面积大于所述芯片模块在所述承载结构上的正投影的面积。p>
4、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：散热板在承载结构上的正投影的面积大于芯片模块在承载结构上的正投影的面积。即，散热板相对于芯片模块向外延伸，使得散热板可以对芯片模块产生的热量起到引导作用，热量沿着散热板传递到封装结构外围，从而提高散热效果。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片模块在所述承载结构上的正投影位于所述散热板在所述承载结构上的正投影的中心位置。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述散热板的厚度与其距离最近的所述芯片模块中的所述芯片的数量成正比。
14.根据权利要求1所述的半
15.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，将所述堆叠结构设置在所述承载结构上后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片模块在所述承载结构上的正投影位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕开敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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