【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，具体地说是一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法。
技术介绍
1、当前存储芯片的封装基板表面为水平的，存储芯片就是通过daf把多层芯片一层一层粘结叠加来增加存储容量，而封装芯片的垂直方向上的叠加势必会增加芯片的厚度，此种3d封装技术由于芯片累计层数较多导致封装体厚度较厚，难于满足现在电子产品和存储体轻小薄的需求。由于芯片容量和芯片厚度之间存在着反相关关系，既要满足大容量大存储，又要满足芯片厚度减薄，这使得封装和设计公司会面临技术的瓶颈无法突破。现行薄基板由于受到弯翘翘曲以及刚性不足的问题，导致薄基板厚度停留在80~90um的极限上难有突破。
技术实现思路
1、本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法。
2、为实现上述目的，设计一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
3、s1，制作母版玻璃基板：将熔融玻璃制作成母版玻璃基板；
4、s2，锻压：将母板玻璃基板送至加热炉，使其充分软化，再将通过锻压成薄玻璃基板胚；
5、s3，研磨：对薄玻璃基板胚表面进行研磨，研磨至所需厚度，得到初玻璃基板；
6、s4，溅射涂层：对初玻璃基板胚溅射一层sin涂层，得到玻璃芯基板；
7、所述的步骤s1的方法具体包括如下步骤：
8、s11，在模具内的经向和纬向分别穿入超细玻璃纤维；
9、s12，向模具内加入经研磨过的纳米颗粒材料；
10、s13，在1200~1600℃的高温熔融8~10小时，在熔融的过程中添加纳米tio2、有机分散剂；
11、s14，熔融结束后，排气并收缩成型，得到母版玻璃基板。
12、所述的超细玻璃纤维选用直径小于4um的玻璃纤维。
13、所述的纳米颗粒材料为二氧化硅、氧化硼以及不含碱金属的氧化物的混合物；不含碱金属的氧化物选用coo，co2o3，seo中的一种。
14、所述的步骤s13中，纳米tio2颗粒直径为10~20nm，添加比例0.2%~1%，有机分散剂选用不含氮类化合物，添加比例20%~30%，不含氮类化合物选用聚乙二醇200或聚乙二醇400。
15、所述的步骤s2中得到的薄玻璃基板胚厚度60um~80um，步骤s3中研磨厚度20~40um，将薄玻璃基板胚减薄到30~40um。
16、所述的步骤s4中，涂层厚度2~3um，表面平整度满足3um以内。
17、在步骤s14得到的母版玻璃基板上封装芯片，还包括如下步骤：
18、s5，形成导电线路：对玻璃芯基板进行镭射打孔和开槽，再进行电镀导通、sap工艺形成需求的导电线路；
19、s6，形成绝缘阻焊层：通过涂布或压膜形成绝缘阻焊层，并电镀后形成finger手指；
20、s7，玻璃芯基板背面采用通用osp-pad设计，在玻璃芯基板完成生产后成型捞条，形成总厚度60um的薄基板；
21、s8，最后玻璃芯基板通过贴装芯片、wb打线、塑封、植球、切割后得到芯片封装结构。
22、所述的步骤s8得到的芯片封装结构包括玻璃芯基板、存储芯片、控制芯片，位于玻璃芯基板上表面设有凹槽，凹槽内设有若干存储芯片，玻璃芯基板两侧设有sin涂层，sin涂层外侧设有铜层，玻璃芯基板上侧的部分铜层外侧设有电镀镍金层，玻璃芯基板下侧的部分铜层外侧连接锡球，其余铜层外侧设有防焊油墨层，玻璃芯基板上侧的防焊油墨层上设有控制芯片，存储芯片、控制芯片均通过金线与电镀镍金层电连接。
23、若干存储芯片呈阶梯型布置，相邻存储芯片之间通过金线电连接。
24、所述的芯片封装结构外侧设有塑封层。
25、本专利技术同现有技术相比，具有以下有益效果：
26、1.通过制作玻璃芯基板增加了纳米tio2颗粒，可以制作出高tg高强度的基板，基板的极限将有现有的130um降低到50~60um，同时也增强了玻璃芯开槽底部的应力强度，保证能承受住叠层芯片的重量和压力。
27、2. 玻璃芯基板表面增加了sin镀层提升了平整度。
28、3. 玻璃芯基板中间增加开槽，更降低减薄了芯片封装体的厚度，可降低20~30um的芯片厚度。
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1.一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的超细玻璃纤维（12）选用直径小于4um的玻璃纤维。
3.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的纳米颗粒材料为二氧化硅、氧化硼以及不含碱金属的氧化物的混合物；不含碱金属的氧化物选用CoO，Co2O3，SeO中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的步骤S13中，纳米TiO2颗粒直径为10~20nm，添加比例0.2%~1%，有机分散剂选用不含氮类化合物，添加比例20%~30%，不含氮类化合物选用聚乙二醇200或聚乙二醇400。
5.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的步骤S2中得到的薄玻璃基板胚厚度60um~80um，步骤S3中研磨厚度20~40um，将薄玻璃基板胚减薄到30~40um。
6.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的
7.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板封的制作方法，其特征在于：在步骤S14得到的母版玻璃基板上封装芯片，还包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板封的制作方法，其特征在于：所述的步骤S8得到的芯片封装结构包括玻璃芯基板（1）、存储芯片（9）、控制芯片（6），位于玻璃芯基板（1）上表面设有凹槽，凹槽内设有若干存储芯片（9），玻璃芯基板（1）两侧设有SIN涂层（2），SIN涂层（2）外侧设有铜层（3），玻璃芯基板（1）上侧的部分铜层（3）外侧设有电镀镍金层（5），玻璃芯基板（1）下侧的部分铜层（3）外侧连接锡球（7），其余铜层（3）外侧设有防焊油墨层（8），玻璃芯基板（1）上侧的防焊油墨层（8）上设有控制芯片（6），存储芯片（9）、控制芯片（6）均通过金线（5）与电镀镍金层（5）电连接。
9.根据权利要求8所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板封的制作方法，其特征在于：若干存储芯片（9）呈阶梯型布置，相邻存储芯片（9）之间通过金线（5）电连接。
10.根据权利要求8所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板封的制作方法，其特征在于：所述的芯片封装结构外侧设有塑封层（10）。
...【技术特征摘要】
1.一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的超细玻璃纤维（12）选用直径小于4um的玻璃纤维。
3.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的纳米颗粒材料为二氧化硅、氧化硼以及不含碱金属的氧化物的混合物；不含碱金属的氧化物选用coo，co2o3，seo中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的步骤s13中，纳米tio2颗粒直径为10~20nm，添加比例0.2%~1%，有机分散剂选用不含氮类化合物，添加比例20%~30%，不含氮类化合物选用聚乙二醇200或聚乙二醇400。
5.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板的制作方法，其特征在于：所述的步骤s2中得到的薄玻璃基板胚厚度60um~80um，步骤s3中研磨厚度20~40um，将薄玻璃基板胚减薄到30~40um。
6.根据权利要求1所述的一种可减薄封装厚度的玻璃芯基板封的制作方法，其特征在于：所述的步骤s4中，涂层厚度2~3um，表面平整度满足3...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖俊，徐刚，邵滋人，付永朝，
申请(专利权)人：宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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