一种复合真空度传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种复合真空度传感器及其制造方法，涉及真空压力测量技术领域，以扩大测量量程的范围，提高测量结果的精度。复合真空度传感器包括基于同一基底形成的皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元。基底包括键合在一起的第一衬底和第二衬底。第二衬底对应第一单元区内的部分形成有热沉、以及位于部分热沉上方的加热结构。热沉键合在第一衬底上、且呈叉指状结构。至少部分加热结构由叉指状结构中相邻两个指状结构的间隙环绕热沉。第一衬底对应第二单元区的部分形成有向内凹入的凹槽，凹槽的侧壁与第二衬底对应第二单元区的部分围成绝压空腔。第二衬底对应第二单元区的部分形成有压阻式压力传感单元包括的压敏电阻，压敏电阻位于绝压空腔内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空压力测量，尤其涉及一种复合真空度传感器及其制造方法。

技术介绍

1、皮拉尼真空传感器属于热传导真空传感器中的一种。其工作原理为：皮拉尼真空传感器所包括的加热物体被周围气体所传导的热量随气压而变化。基于此，通过热电耦合原理，建立电学响应和真空度的关系，从而实现真空环境的压力监测。皮拉尼真空传感器具有体积小、成本低、能耗低和响应快等优点，被广泛应用于各种大小真空封装以及微型腔体的真空度监测。

2、但是，现有的皮拉尼真空传感器的测量量程的范围较小，难以实现从大气压到高真空(105pa至10-2pa)的真空度的测量，导致测量结果的精度降低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种复合真空度传感器及其制造方法，用于扩大测量量程的范围，实现从大气压到高真空(105pa至10-2pa)的真空度测量，提高测量结果的精度。

2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种复合真空度传感器，该复合真空度传感器包括：基于同一基底形成的皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元。皮拉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合真空度传感器，其特征在于，包括：基于同一基底形成的皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元；所述皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元沿平行于基底表面的方向间隔分布；其中，

2.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述加热结构包括第一加热部和第二加热部；所述第一加热部形成在所述第一衬底对应所述第一单元区的部分上；所述第二加热部通过所述第一加热部悬置在部分所述热沉的上方，且所述第二加热部和所述第一加热部形成惠斯通电桥。

3.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述绝压空腔的腔底形成有凸起结构；所述凸起结构的顶部与所述压敏电阻具有...

【技术特征摘要】

1.一种复合真空度传感器，其特征在于，包括：基于同一基底形成的皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元；所述皮拉尼真空传感单元和压阻式压力传感单元沿平行于基底表面的方向间隔分布；其中，

2.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述加热结构包括第一加热部和第二加热部；所述第一加热部形成在所述第一衬底对应所述第一单元区的部分上；所述第二加热部通过所述第一加热部悬置在部分所述热沉的上方，且所述第二加热部和所述第一加热部形成惠斯通电桥。

3.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述绝压空腔的腔底形成有凸起结构；所述凸起结构的顶部与所述压敏电阻具有间隙。

4.根据权利要求3所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述凸起结构与所述第一衬底一体成型；和/或，

5.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述绝压空腔的腔底形成有吸气剂。

6.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述压阻式压力传感单元包括四个压敏电阻，且四个所述压敏电阻连接形成惠斯通电桥。

7.根据权利要求1所述的复合真空度传感器，其特征在于，所述第二衬底为绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括依次层叠设置的半导体衬底、埋氧化层和半导体层；所述压敏电阻基于所述半导体层形成；所述热沉基于所述半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦斌斌，乔靖评，刘瑞文，孔延梅，云世昌，叶雨欣，杜向斌，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：