【技术实现步骤摘要】
本申请涉及量子芯片，尤其涉及量子芯片的低温传输性能评估方法、装置及电子设备。
技术介绍
1、tdr(time domain reflectometry，时域反射计)是利用信号的反射来评估链路中阻抗变化的程度的测试设备。tdr测试设备会输出一个上升沿且非常陡的阶跃信号给待测的传输环境，如果待测传输环境阻抗不连续(传输线路与待测元件之间的阻抗并不连续变化)，那么将会发生反射(正反射或负反射)，反射的信号被采样，设备把待测环境的反射与标准阻抗生产的反射进行比较，就可以得到阻抗变化量，进而实现阻抗测量。
2、由于量子芯片需要处于低温下才会展现完整的性能，所以要降到极低温10mk水平，常温下量子芯片未进入超导态，会存在室温电阻，从而无法准确评估信号传输性能。通常我们可以通过阻抗评估传输性能，在量子芯片中，由于传输线和键合线的存在，如果待测元件的待测阻抗接近或者低于干扰的阻抗，会导致引入的误差很大，无法确认tdr测试设备所测得的阻抗为待测阻抗，虽然量子芯片上的共面波导可以通过仿真粗略评估，但对于具有空气带或空气桥的共面波导，由于时隔以及工艺误差，也不容易评估量子芯片的传输性能，因此，如何准确测量量子芯片中待测元件的待测阻抗以用于确定量子芯片的低温传输性能是需要解决的技术问题。
3、申请内容
4、本申请提供了量子芯片的低温传输性能评估方法、装置及电子设备，用以解决如何准确测量量子芯片中待测元件的待测阻抗以用于确定量子芯片的低温传输性能的问题。
5、本说明书实施例提供量子芯片的低温传输性能评估方法
6、对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，得到tdr曲线；
7、将所述待测元件在所述tdr曲线上显示的待测阻抗与目标阻抗范围进行比对，基于比对结果确定量子芯片的传输性能，其中，所述目标阻抗范围为预先设定的阻抗范围。
8、可选的，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件和在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件时，所述对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，包括：
9、将时域反射计与所述第一筛选元件的一端键合，将所述第二筛选元件未与所述待测元件连接的一端开路；
10、启动时域反射计对处于预设温度范围下的待测元件进行测量。
11、可选的，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件时，所述对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，包括：
12、将时域反射计与所述第一筛选元件的一端键合，将所述待测元件的另一端开路；
13、启动时域反射计对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量。
14、可选的，所述基于比对结果确定量子芯片的传输性能，包括：
15、当所述待测阻抗处于所述目标阻抗范围时，所述量子芯片的传输性能符合要求；
16、当所述待测阻抗未处于所述目标阻抗范围时，所述量子芯片的传输性能不符合要求。
17、可选的，所述预设温度范围为10mk-100mk。
18、可选的，所述待测元件包括：xy传输线、z传输线、读取腔或读取总线；所述第一筛选元件和所述第二筛选元件为共面波导传输线。
19、可选的，当所述待测元件为xy传输线、z传输线、读取腔、读取总线中任意一个时，所述第一筛选元件、所述第二筛选元件的长度均小于预设倍数所述待测元件的长度。
20、本说明书实施例还提供量子芯片的低温传输性能评估装置，包括：在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件，和/或在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件，所述装置包括：
21、tdr曲线得到模块，用于对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，得到tdr曲线；
22、传输性能确定模块，用于将所述待测元件在所述tdr曲线上显示的待测阻抗与目标阻抗范围进行比对，基于比对结果确定量子芯片的传输性能，其中，所述目标阻抗范围为预先设定的阻抗范围。
23、一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述所述的方法。
24、一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被设置为运行时执行上述所述的方法。
25、其有益效果在于：本申请先在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件，和/或在待测元件的另一端配置第二筛选元件，然后对处于预设温度范围下的待测元件进行测量，得到tdr曲线；将待测元件在tdr曲线上显示的待测阻抗与目标阻抗范围进行比对，基于比对结果确定量子芯片的低温传输性能。通过在待测元件的一侧或两侧配置筛选元件的方式实现在tdr曲线上清楚、准确读取待测元件的待测阻抗目的，从而能够根据读取的待测阻抗实现对量子芯片的低温传输性能的评估。
技术实现思路
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1.量子芯片的低温传输性能评估方法，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件，和/或在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件和在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件时，所述对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件时，所述对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于比对结果确定量子芯片的传输性能，包括：
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度范围为10mk-100mk。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测元件包括：XY传输线、Z传输线、读取腔或读取总线；所述第一筛选元件和所述第二筛选元件为共面波导传输线。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，当所述待测元件为XY传输线、Z传输线、读取腔、读取总线中任意一个时，所述第一筛选元
8.量子芯片的低温传输性能评估装置，基于权利要求1-7中任一项所述的方法实现，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件，和/或在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件，所述装置包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行权利要求1至7任一项所述的方法。
10.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被设置为运行时执行权利要求1至7任一项所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.量子芯片的低温传输性能评估方法，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件，和/或在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件和在所述待测元件的另一端配置第二筛选元件时，所述对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在量子芯片中待测元件的一端配置第一筛选元件时，所述对处于预设温度范围下的所述待测元件进行测量，包括：
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于比对结果确定量子芯片的传输性能，包括：
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度范围为10mk-100mk。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测元件包括：xy传输线、z传输线...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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