Ｃｕ２ＣｄＳｎＳ４纳米晶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低成本、高质量的Ｃｕ２ＣｄＳｎＳ４纳米晶的制备方法，该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸镉、醋酸锡和硫粉加入反应烧瓶中，然后升高温度进行反应，最终得到高质量的Ｃｕ２ＣｄＳｎＳ４纳米晶。本发明专利技术的优点在于：纳米晶的制备方法简单，所用前驱体材料成本低廉，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明专利技术制备的纳米晶可作为热电器件材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于热电材料领域，涉及一种Cu2CdSnS4半导体纳米晶的制备方法。
技术介绍
早在19世纪法国物理学家佩尔捷就发现了热电效应，即将不同材料的导体连接 起来，并通入电流后在不同导体的接触点将会吸收或放出热量。然而由于金属的热电转换 效率通常很低，所以并没有很快将其转化为应用。直到20世纪50年代，一些具有优良热电 转换性能的半导体材料被发现，特别是氟利昂制冷剂被禁用以后，热电材料的研究才成为 热门课题。热电材料的性能与其自身固有的物理学参数密切相关，决定热电材料性能优劣的 是组合参数Z= (σ α2)/Κ，其中σ，α和κ分别为电导率，泽贝克系数和热导率，若提 高热电材料的性能必须使组合参数Z增大。目前人们研究较多的热电材料主要有CoSb3, BaZn2Sb2, Bi2Te3和PbTe等，因其热电性能即Z值还不足够大，使得这些材料的热电设备很 难与传统的制冷或发电设备竞争。因此，若突破传统热电器件的限制，使热电材料进一步得 到应用，一方面要对现有的热电材料性能进行改进，另一方面需要开发新的高热电性能材 料取代原有热电材料。新近发现，通过调节Cu2MSnQ4 (Μ = Zn本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｃｕ↓［２］ＣｄＳｎＳ↓［４］纳米晶的制备方法，其特征在于制备方法如下：依次将反应物前驱体２０－２００ｍｍｏｌ油胺、０．５－５ｍｍｏｌ乙酰丙酮酸铜、０．２５－２．５ｍｍｏｌ醋酸镉、０．２５－２．５ｍｍｏｌ醋酸锡和１－１０ｍｍｏｌ硫粉加入三口圆底烧瓶反应器中，在氩气氛围中升高温度至前躯体全部溶解，然后将反应温度升高到２３０－３５０℃反应１－６０分钟，停止反应后再向冷却后的反应产物中加入甲醇使纳米粒子沉降；最后以３０００－１４０００转／ｍｉｎ的速度离心１－１０分钟收集纳米晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉峰，陈鑫，葛美英，吴杰，孙艳，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]