【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜沉积，尤其涉及一种薄膜沉积方法、一种薄膜沉积装置，以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、薄膜沉积工艺是半导体制造中必不可少的环节。在半导体制造的过程中，通常需要对晶圆等核心器件进行薄膜沉积操作，以使晶圆上生长出各种导电薄膜层和绝缘薄膜层，为后续工艺打下基础。
2、现有的薄膜沉积设备中包括反应源、化学源，以及工艺腔等设备结构。由于在薄膜沉积设备在进行蒸汽输运连续性沉积薄膜时，受温度、压力、蒸汽浓度等影响，其腔体环境通常不具有绝对的稳定性，从而引起沉积的薄膜厚度不均匀，无法满足实际生产要求。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种薄膜沉积技术，用于有效改善薄膜沉积工艺的稳定性，优化薄膜厚度的片间均一性，并提升产线应用的经济价值。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供一种薄膜沉积方法、一种薄膜沉积装置，以及一种计算机可读存储介质，用于有效改善薄膜沉积工艺的稳定性，优化薄膜厚度的片间均一性，并提升产线应用的经济价值。
3、具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的薄膜沉积方法包括以下步骤：确定一次薄膜沉积反应的窗
4、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述确定一次薄膜沉积反应的窗口时长的步骤包括：根据所述薄膜沉积反应的产线产能，确定一次薄膜沉积反应的窗口时长。
5、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述基于薄膜厚度均一性的目标值及所述窗口时长，进行所述反应源在所述窗口时长内的时长占比实验，以确定所述反应源在所述窗口时长内的目标时长占比的步骤包括：在所述窗口时长内，向所述工艺腔内持续通入所述化学源，以及多个不同的时长占比的反应源，以分别进行多次薄膜沉积反应；检验各所述薄膜沉积反应生成的薄膜厚度差异；以及根据薄膜厚度差异符合所述薄膜厚度均一性的目标值的时长占比，确定所述反应源在所述窗口时长内的目标时长占比。
6、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，向所述工艺腔内通入所述的反应源的步骤包括：经由从吹扫管路通往液态反应源的进气支路，向所述液态反应源传输吹扫气体；经由从所述液态反应源通往所述吹扫管路的出气支路，向所述吹扫管路传输携带所述反应源的吹扫气体，其中，所述出气支路上设有限流结构，以降低携带所述反应源的吹扫气体的流量；以及经由所述吹扫管路通往所述工艺腔的出口，向所述工艺腔传输携带所述反应源的吹扫气体。
7、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，在进行所述薄膜沉积反应之前，所述薄膜沉积方法还包括以下步骤：经由负载锁存腔和/或传输腔，从设备前端模块获取待进行薄膜沉积的晶圆；经由所述负载锁存腔和/或所述传输腔，预热所述晶圆；以及将经过预热的晶圆传输到所述工艺腔。
8、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述预热所述晶圆的步骤包括：获取所述晶圆的厚度，以确定所述晶圆的预热时间；以及根据所述预热时间，预热所述晶圆。
9、此外，根据本专利技术第二方面提供的薄膜沉积装置包括：存储器，其上存储有计算机指令；以及处理器，连接所述存储器，并被配置用于执行所述存储器上存储的计算机指令，实施如本专利技术第一方面所述的薄膜沉积方法。
10、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述薄膜沉积装置还包括：反应源，用于提供气态的第一反应物；化学源，用于提供气态的第二反应物；以及工艺腔，用于基于所述第一反应物及所述第二反应物，对其中的晶圆进行薄膜沉积反应。
11、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述反应源为液态反应源，所述薄膜沉积装置还包括：吹扫管路，包括从所述吹扫管路通往所述液态反应源的进气支路、从所述液态反应源通往所述吹扫管路的出气支路，以及位于所述出气支路的限流结构，其中，所述薄膜沉积装置经由所述进气支路向所述液态反应源传输吹扫气体，经由所述出气支路向所述吹扫管路传输携带所述反应源的吹扫气体，并经由所述吹扫管路通往所述工艺腔的出口，向所述工艺腔传输携带所述反应源的吹扫气体。
12、此外，根据本专利技术第三方面提供的计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理器执行时，实施如本专利技术第一方面所述的薄膜沉积方法。
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1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述确定一次薄膜沉积反应的窗口时长的步骤包括：
3.如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述基于薄膜厚度均一性的目标值及所述窗口时长，进行所述反应源在所述窗口时长内的时长占比实验，以确定所述反应源在所述窗口时长内的目标时长占比的步骤包括：
4.如权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，向所述工艺腔内通入所述的反应源的步骤包括：
5.如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在进行所述薄膜沉积反应之前，所述薄膜沉积方法还包括以下步骤：
6.如权利要求5所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述预热所述晶圆的步骤包括：
7.一种薄膜沉积装置，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述薄膜沉积装置还包括：
9.如权利要求8所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述反应源为液态反应源，所述薄膜沉积装置还包括：
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述确定一次薄膜沉积反应的窗口时长的步骤包括：
3.如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，所述基于薄膜厚度均一性的目标值及所述窗口时长，进行所述反应源在所述窗口时长内的时长占比实验，以确定所述反应源在所述窗口时长内的目标时长占比的步骤包括：
4.如权利要求3所述的薄膜沉积方法，其特征在于，向所述工艺腔内通入所述的反应源的步骤包括：
5.如权利要求1所述的薄膜沉积方法，其特征在于，在进行所述薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：董天慧，朱家宽，高鹏飞，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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