加热盘及薄膜沉积设备制造技术

本技术提供了一种加热盘及薄膜沉积设备。所述加热盘包括：加热盘本体，设于薄膜沉积设备的工艺腔体，用于承载待加工晶圆；以及驱动电路，包括电感器、电容器、马达及远程通信模块，其中，所述电容器设于所述加热盘本体的下方，用于配合所述电感器向所述工艺腔体提供射频电场，以激发所述工艺腔体中的反应物在所述待加工晶圆的表面发生薄膜沉积反应，所述马达经由所述远程通信模块连接远端的控制器，从所述控制器远程获取调节指令来改变所述电容器相对所述加热盘的位置，以调节所述工艺腔体的阻抗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及薄膜沉积，尤其涉及一种加热盘，以及一种薄膜沉积设备。

技术介绍

1、在离子增强原子层沉积(plasma-enhanced atomic layer deposition，peald)或等离子增强化学气相淀积(plasma enhance chemical vapor deposition，pecvd)等场景中，成膜过程需要使用薄膜沉积设备。为了提升成膜效果，通常通过调整设备中的电容位置来调节腔体阻抗的方式，影响射频不同电容位置的应力表现，从而实现对成膜效果的控制。然而，利用常规的手动调节电容下方的调节装置的方式，虽然可以调整电容位置，但是操作的精准性难以控制，且易出现偏差，从而影响工艺的成膜效果和工艺重复性。

2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种加热盘调节技术，用于电控调整电容位置，从而提升成膜精度、工艺调整的效率及工艺的重复性。

技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种加热盘，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的加热盘，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的加热盘，其特征在于，所述调谐器中设有沿竖直方向延伸的导轨，所述电容器经由所述导轨连接所述调谐器，通过向上位移或向下位移来改变其被接入所述射频回路的电容值，以调节所述工艺腔体的阻抗。

4.如权利要求3所述的加热盘，其特征在于，所述马达经由转接机构连接所述电容器，经由所述转接机构将其正向转动行程转换为所述电容器沿所述导轨的向上位移行程，并经由所述转接机构将其反向转动行程转换为所述电容器沿所述导轨的向下位移行程。

5.如权利要求2所述的加...

【技术特征摘要】

1.一种加热盘，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的加热盘，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的加热盘，其特征在于，所述调谐器中设有沿竖直方向延伸的导轨，所述电容器经由所述导轨连接所述调谐器，通过向上位移或向下位移来改变其被接入所述射频回路的电容值，以调节所述工艺腔体的阻抗。

4.如权利要求3所述的加热盘，其特征在于，所述马达经由转接机构连接所述电容器，经由所述转接机构将其正向转动行程转换为所述电容器沿所述导轨的向上位移行程，并经由所述转接机构将其反向转动行程转换为所述电容器沿所述导轨的向下位移行程。

5.如权利要求2所述的加热盘，其特征在于，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晶，吴凤丽，关帅，申思，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：