【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，尤其涉及一种工艺腔室，以及一种薄膜沉积方法。
技术介绍
1、为了满足dram、3d nand及先进节点的逻辑器件等特殊元器件高深宽比的需求，反应源及其置换气体通道上往往设有特殊的缓冲罐。反应气体在通往工艺腔室前会预先累积在缓冲罐中，以在缓冲罐内预先增大反应气压力，进而对工艺中高深宽比结构中台阶覆盖率的问题进行优化。因此，在高进气压力的前提下，工艺腔室内的气流稳定性和气氛环境的稳定性非常重要，并且对抽气的均匀性及抽气效率要求更高。
2、在原子层沉积工艺中，薄膜的均匀性对工艺腔室内的气氛环境十分敏感。现有技术在采用侧抽模式的设备中，工艺腔室两侧同时设有抽气通道，最终在单侧汇总并与抽气口及抽气主管路相连。然而，由于远离抽气口一侧的路径较长，导致腔内左右两侧的抽气效率不均匀，会导致薄膜均匀性差的问题，尤其是厚度偏边的问题。此外，现有技术无法独立调节抽气效率，仅能通过调节加热盘的高度来改变抽气效率，这会使工艺高度和抽气效率联动，改变抽气效率的同时影响了工艺高度，使得工艺窗口变小，从而不利于薄膜沉积工艺的稳定进行。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种薄膜沉积技术，用于实现工艺高度与抽气路径的解耦，以扩大工艺窗口，并提升腔内的气氛环境的稳定性，从而提升工艺的稳定性、重现性及薄膜均匀性。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种工艺腔室及一种薄膜沉积方法，能通过设置可升降的环型平台，实现工艺高度与抽气路径的解耦，以扩大工艺窗口，并提升腔内的气氛环境的稳定性，从而提升工艺的稳定性、重现性及薄膜均匀性。
3、具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述工艺腔室包括加热盘、喷淋盖、抽气口、环型平台及升降装置。所述加热盘用于承载并加热待加工的晶圆。所述喷淋盖设于所述工艺腔室的上部，用于向所述加热盘上喷洒反应物。所述抽气口设于所述工艺腔室的下部，用于从所述工艺腔室抽出尾气。所述环型平台的外环平台包围所述加热盘的边缘。所述外环平台的第一高度大于所述加热盘边缘的第二高度。所述升降装置用于驱动所述环型平台升降，改变所述外环平台到所述喷淋盖的间距，以调节所述抽气口的抽气路径上的流体分布。
4、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述升降装置降低所述环型平台，降低所述晶圆边缘的第一抽气速率，以使其接近或等于所述晶圆中心的第二抽气速率。或者所述升降装置升高所述环型平台，提升所述晶圆边缘的抽气速率，以使其大于并远离所述晶圆中心的第二抽气速率。
5、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述抽气口设于所述工艺腔室的底部。所述外环平台在各方向的第一高度相等。或者所述抽气口设于所述工艺腔室的一侧。所述外环平台在靠近所述抽气口的第一侧的第一高度大于其在相反的第二侧的第三高度。所述第三高度也大于所述加热盘边缘的第二高度。
6、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述外环平台采用台阶状结构或斜切状结构，其在靠近所述抽气口的第一侧的第一高度与远离所述抽气口的第二侧的第三高度之比在1.1～1.8之间。
7、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括至少一个反应源。所述至少一个反应源经由至少一个第一缓冲罐连接所述喷淋盖，用于向所述加热盘上均匀喷洒至少一种气相的反应物，以对所述晶圆进行薄膜沉积工艺。
8、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述至少一个反应源包括反应气源和/或液态反应源。所述反应气源用于向所述工艺腔室提供反应气体。所述液态反应源用于向所述工艺腔室提供由载气携带的挥发的液态反应物。
9、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括至少一个载气源。所述至少一个载气源经由所述液态反应源的传输管路连接所述喷淋盖，用于向所述传输管路提供所述载气，以携带所述挥发的液态反应物流向所述工艺腔室。
10、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括至少一个吹扫气源。所述至少一个吹扫气源经由至少一个第二缓冲罐连接所述喷淋盖，用于向所述加热盘上均匀喷洒吹扫气体，以清洁所述工艺腔室。
11、进一步地，在本专利技术的一些实施例中，还包括真空泵。所述真空泵连接所述抽气口，用于经由所述抽气口，从所述工艺腔室中抽出所述尾气。
12、此外，根据本专利技术的第二方面提供的上述薄膜沉积方法使用如权本专利技术的第一方面提供的工艺腔室，对其中的晶圆进行薄膜沉积。
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1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述升降装置降低所述环型平台，降低所述晶圆边缘的第一抽气速率，以使其接近或等于所述晶圆中心的第二抽气速率，或者
3.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述抽气口设于所述工艺腔室的底部，所述外环平台在各方向的第一高度相等，或者
4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述外环平台采用台阶状结构或斜切状结构，其在靠近所述抽气口的第一侧的第一高度与远离所述抽气口的第二侧的第三高度之比在1.1～1.8之间。
5.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述至少一个反应源包括：
7.如权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：
8.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：
9.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：
10.一种薄膜沉积方法，其特征在于，使用如权利要求1～9中任一项所述的工艺腔室，对其中的晶圆进行薄膜沉积
...【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述升降装置降低所述环型平台，降低所述晶圆边缘的第一抽气速率，以使其接近或等于所述晶圆中心的第二抽气速率，或者
3.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述抽气口设于所述工艺腔室的底部，所述外环平台在各方向的第一高度相等，或者
4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述外环平台采用台阶状结构或斜切状结构，其在靠近所述抽气口的第一侧的第一高度与远离所述抽气口的第二侧的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：王思琦，薛国标，谭浩，刘振，邓浩，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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