背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于半导体领域，具体地涉及一种背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用。本发明专利技术晶圆的背面沉积有非晶相碳膜。本发明专利技术可增加传统晶圆背面沉积薄膜的可选择性。SiN、SiO及非晶相碳膜相比，相同膜厚条件下，非晶相碳膜应力和翘曲与SiN相近，可实现对翘曲较大的工艺片或结构片的应力中和(随着膜厚的累积和工艺温度的提升，可满足更高应力和翘曲的需求)。非晶相碳膜在高温下具有较好粘附力，可实现以上厚度的薄膜沉积。晶圆背面沉积的SiN、SiO薄膜需要通过(磷酸或氢氟酸)湿法去除，而非晶相碳膜可通过与等离子体激发下氧离子反应原位去除，副产物主要为二氧化碳。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，具体地涉及一种背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用。

技术介绍

1、在现有半导体技术中，通过cvd、ald等工艺在晶圆背面沉积薄膜，利用背面薄膜的应力来平衡正面成膜时带来的翘曲问题，现有的晶圆背面沉积薄膜包括氮化硅(sin)、氧化硅(sio)等，以sin为例，通常需要沉积的薄膜去抵消前道工艺或结构片的翘曲，再通过(磷酸或氢氟酸)湿法去除，薄膜沉积时间长且去除过程复杂。

2、在上述晶圆背面沉积薄膜工艺中，sin应用较为普遍，但需要沉积较厚的膜才能实现抵消较大应力和翘曲的需求，且去除过程复杂。因此，本领域迫切的需要开发一种新的能够克服晶圆正面成膜时带来的翘曲问题的晶圆的制备方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种背面沉积有非晶相碳膜的晶圆及其制备方法和应用。

2、本专利技术的第一方面，提供了一种晶圆，所述晶圆的背面沉积有非晶相碳膜。

3、在一个或多个实施方案中，晶相碳膜的厚度为

4、在一个或多个实施方案中，所述非晶相碳膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆的背面沉积有非晶相碳膜。

2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述非晶相碳膜具有以下一项或多项特征：

3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆的正面沉积有薄膜，或者所述晶圆的正面没有沉积薄膜。

4.一种制备权利要求1～3中任一项所述的晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：使用乙炔或丙烯作为沉积气体，在所述晶圆的背面沉积非晶相碳膜。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，乙炔的流量为50～500sccm；和/或，丙烯的流量为50～500sccm。

6.如权利要求4所述的方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆的背面沉积有非晶相碳膜。

2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述非晶相碳膜具有以下一项或多项特征：

3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆的正面沉积有薄膜，或者所述晶圆的正面没有沉积薄膜。

4.一种制备权利要求1～3中任一项所述的晶圆的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：使用乙炔或丙烯作为沉积气体，在所述晶圆的背面沉积非晶相碳膜。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，乙炔的流量为50～500sccm；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李霖，李培培，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：